| 发明名称 | 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 | ||
| 摘要 | 一种高线性度的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺法，使用阳极氧化工艺减薄有源区的外表面，根据器件符合线性的程度调节减薄的深度，直到器件具有良好的线性特性。 | ||
| 申请公布号 | CN100383993C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN02116446.0 | 申请日期 | 2002.04.05 |
| 申请人 | 北京华源科半光电子科技有限责任公司 | 发明人 | 郑一阳;韩海;景士平;梁平 |
| 分类号 | H01L43/06(2006.01);G01R15/20(2006.01) | 主分类号 | H01L43/06(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种提高砷化镓霍尔器件线性度的制备工艺方法，其特征在于：对于有源区浓度为1017cm3，厚度为0.35μm，过渡区的厚度为0.25μm的离子注入型砷化镓霍尔器件，采取阳极氧化工艺减薄有源区的外表面，减薄的深度为0.01μm～0.05μm，用此方法制备的器件在磁场为0～2.5T内，线性度为0.04％。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄林业大学院内中科院半导体所 | ||