| 发明名称 | 检测管缝缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种检测管缝缺陷的方法，包括：提供一半导体基底，其上具有一有源区与一绝缘区；于上述半导体基底上形成多个半导体元件，并沉积一介电层覆盖于上述半导体基底与半导体元件上；于上述介电层中形成一第一与一第二接触插塞以分别连接上述半导体基底的有源区与绝缘区，并以电子束照射于上述第一及第二接触插塞，使电荷累积于连接上述绝缘区的第二接触插塞，通过第一及第二接触插塞的亮度对比，判断两者间是否形成管缝缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN100383947C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200510065582.2 | 申请日期 | 2005.04.18 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 纪儒兴;吴坤荣;余彬源;林裕记;林雍秩 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);G01N13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种检测管缝缺陷的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上具有一有源区与一绝缘区；于该半导体基底上形成多个半导体元件；沉积一介电层覆盖于上述半导体基底与半导体元件上；于该介电层中形成一第一与一第二接触插塞分别连接该有源区与该绝缘区；以及以电子束照射于上述第一及第二接触插塞，使电荷累积于连接上述绝缘区的第二接触插塞，通过第一及第二接触插塞的亮度对比，判断两者间是否形成管缝缺陷。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||