| 主权项 |
1.一种发光二极体次黏着基板封装构造,系包含: 一第一基板,其系具有一上表面、一相对于该上表 面之下表面及复数个定义于该上表面之黏晶区,该 下表面系形成有复数个散热凹槽,各该散热凹槽系 对应各该黏晶区,且各该散热凹槽系具有一底面, 各该底面与各该黏晶区之间系具有一承载座; 复数个导热体,其系分别形成于各该散热凹槽中; 复数个发光二极体,其系分别设置于该第一基板之 各该承载座上;以及 一第二基板,系结合于该第一基板之该上表面,其 具有一朝向该第一基板之该上表面之第一表面、 一相对于该第一表面之第二表面及复数个连通该 第一表面与该第二表面之反射槽孔,各该反射槽孔 系对应各该发光二极体及各该黏晶区,且各该发光 二极体系位于各该反射槽孔中。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体次黏着 基板封装构造,其另具有一钛层,该钛层系形成于 该上表面。 3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体次黏着 基板封装构造,其另具有一金层,该金层系形成于 该钛层上。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体次黏着 基板封装构造,其中各该承载座系形成有至少一贯 穿孔,各该贯穿孔系连通该第一基板之各该黏晶区 及各该散热凹槽之各该底面。 5.如申请专利范围第4项所述之发光二极体次黏着 基板封装构造,其中各该导热体另形成于各该承载 座之各该贯穿孔中。 6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体次黏着 基板封装构造,其中各该导热体系接触各该发光二 极体。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体次黏着 基板封装构造,其中各该承载座系具有一厚度,该 厚度系介于10微米至50微米之间。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体次黏着 基板封装构造,其另具有一接合层,该接合层系形 成于该第一基板之该上表面与该第二基板之该第 一表面之间。 图式简单说明: 第1A至1E图:依据本创作之一较佳实施例,一种发光 二极体次黏着基板封装方法流程示意图。 第2A图:沿第1A图A-A线,提供一第一基板之制程剖面 图。 第2B图:沿第1B图B-B线,形成复数个散热凹槽之制程 剖面图。 第2C图:沿第1C图C-C线,形成一导热体于各该散热凹 槽之制程剖面图。 第2D图:沿第1D图D-D线,设置复数个发光二极体于该 第一基板之制程剖面图。 第2E图:提供一第二基板之制程剖面图。 第2F图:沿第1E图E-E线,结合该第二基板与该第一基 板之制程剖面图。 第3A至3C图:依据本创作之一具体实施例,利用贯穿 孔及导热体提高发光二极体散热速率之制作方法 流程图。 第4A图:沿第3A图F-F线,承载座形成贯穿孔之制程剖 面图。 第4B图:沿第3B图G-G线,导热体形成于贯穿孔之制程 剖面图。 第4C图:沿第3C图H-H线,发光二极体与导热体接触之 制程剖面图。 第5图:依据本创作之一较佳实施例,该第一基板之 上表面形成有一钛层及一金层之结构示意图。 第6A至6C图:依据本创作之另一具体实施例,发光二 极体直接设置于导热体上之制作方法流程图。 第7图:依据本创作之一较佳实施例,一种发光二极 体次黏着基板封装构造图。 |
