| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为包括: 具有积体电路及连接垫(2)的半导体基板(1); 电性连接于上述连接垫(2)的外部连接用电极(9); 设于上述外部连接用电极(9)周围之上述半导体基 板(1)上的第1封装材(10),而上述第1封装材(10)内所 含有的Na离子、K离子、Ca离子及Cl离子的各杂质浓 度为10ppm以下;及 设于上述半导体基板(1)之下面及周侧面的至少任 一处的第2封装材(12),而上述第2封装材(12)内所含 有的Na离子、K离子、Ca离子及Cl离子的合计杂质浓 度为100ppm以上。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述第 1封装膜(10)之热膨胀系数,系低于20 ppm/℃,而上述 第2封装膜(12)之热膨胀系数,系20 ppm/℃以上。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述第 2封装膜(12)系设于上述半导体基板(1)之下面及周 侧面的两面。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述第 2封装膜(12)更设于上述第1封装材(10)的周侧面。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述外 部连接用电极(9)系柱状电极。 6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中属上述 外部连接用电极(9)之柱状电极,具有80~150m的高 度。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中在上述 外部连接用电极(9)上设置焊锡球。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备 电性连接于上述连接垫(2)及上述外部连接用电极( 9)的配线(8)。 9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中具备介 入上述连接垫(2)及上述配线(8)间的保护膜(5)。 10.一种半导体装置,其特征为包括: 具有积体电路及复数个连接垫(2)的晶圆状态的半 导体基板(1); 具有露出上述复数个各连接垫(2)的复数个开口部 分(4),且设于上述半导体基板(1)上的保护膜(5); 连接于上述复数个连接垫(2)中一个,分别具有形成 于上述保护膜(5)上的复数个连接垫的复数条配线( 8); 设于上述复数条配线(8)上的复数个外部连接用电 极(9); 设于上述复数个外部连接用电极(9)周围之上述半 导体基板(1)上的第1封装材(10),而上述第1封装材(10 )内所含有的Na离子、K离子、Ca离子及Cl离子的各 杂质浓度为10ppm以下;及 设于上述半导体基板(1)之下面及周侧面的至少任 一处的第2封装材(12),而上述第2封装材(12)内所含 有的Na离子、K离子、Ca离子及Cl离子的合计杂质浓 度为100ppm以上。 11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中上述 第2封装膜(12)系设于上述半导体基板(1)之下面及 周侧面的两面。 12.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中上述 第2封装膜(12)更设于上述第1封装材(10)的周侧面。 13.一种半导体装置之制造方法,其特征为包括: 准备具有复数个连接垫(2)及复数个积体电路的晶 圆状态的半导体基板(1); 在上述晶圆状态的半导体基板(1)上形成复数个外 部连接用电极(9); 在上述复数个外部连接用电极(9)周围之上述半导 体基板(1)上,形成由Na离子、K离子、Ca离子及Cl离 子的各杂质浓度为10ppm以下的第1封装材料构成的 第1封装膜(10); 切断上述晶圆状态的半导体基板(1)及上述第1封装 膜(10),在各半导体基板形成分离用的具有指定宽 度的复数个槽(28); 在包含上述复数个槽(28)内的上述复数个半导体基 板(1)下面,形成由Na离子、K离子、Ca离子及Cl离子 的合计杂质浓度为100ppm以上的第2封装材料构成的 第2封装膜(12);及 在上述指定宽度之复数个槽(28)内侧切断形成于上 述复数个槽(28)内的上述第2封装膜(12),将上述晶圆 状态的半导体基板(1)分离为复数个半导体基板(1) 。 14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方 法,其中在包含上述复数个槽(28)内的上述晶圆状 态的半导体基板(1)下面形成上述第2封装膜(12),系 藉由网版印刷法、自旋涂敷法、口模涂敷法中任 一方法来完成。 15.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方 法,其中在形成上述具有指定宽度的复数个槽(28) 之前,将薄膜(27)贴合于上述第1封装膜(10)表面。 16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方 法,其中在包含上述复数个槽(28)内的上述晶圆状 态的半导体基板(1)下面形成上述第2封装膜(12)后, 从上述第1封装膜表面剥离贴合于上述第1封装膜( 10)表面的上述薄膜(27)。 17.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方 法,其中形成上述具有指定宽度的复数个槽,系形 成至贴合于上述第1封装膜(10)表面的上述薄膜(27) 的厚度方向的中间处,而在包含上述槽(28)内的上 述复数个半导体基板(1)下面形成由第2封装材料构 成的上述第2封装膜(12),系形成为使形成于上述槽( 28)内的上述第2封装膜的(12)一部分,较上述第1封装 膜(10)表面要突出。 18.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方 法,其中在剥离上述薄膜(27)后,除去从上述第1封装 膜(10)表面突出的上述第2封装膜(12)的一部分,以使 上述第1封装膜(10)及第2封装膜(12)的表面处于相同 平面上。 19.如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方 法,其中在上述指定宽度的复数个槽(28)内侧切断 形于上述复数个槽(28)内的上述第2封装膜(12)前,将 第2薄膜(29)贴合于上述复数个半导体基板(1)下面 所形成的第2封装膜上。 20.一种半导体装置之制造方法,其特征为包括: 准备具有复数个连接垫(2)及复数个积体电路的晶 圆状态的半导体基板(1); 在上述晶圆状态的半导体基板(1)上形成复数个外 部连接用电极(9); 在上述复数个外部连接用电极(9)周围之上述晶圆 状态的半导体基板(1)上,形成由Na离子、K离子、Ca 离子及Cl离子的各杂质浓度为10ppm以下的第1封装 材料构成的第1封装膜(10); 将上述晶圆状态的半导体基板(1)贴合于第1薄膜(41 ); 至上述第1封装膜(10)、上述晶圆状态的半导体基 板(1)及上述第1薄膜(41)的厚度方向中间处进行切 断,形成复数个槽(42); 将第2薄膜(43)贴合于上述第1薄膜(41)的上面,并从 上述晶圆状态的半导体基板(1)剥离上述第1薄膜(41 ); 在包含上述复数个槽(42)内的上述晶圆状态的半导 体基板(1)下面,形成由Na离子、K离子、Ca离子及Cl 离子的合计杂质浓度为100ppm以上的第2封装材料构 成的第2封装膜(12);及 在上述指定宽度之复数个槽(42)内侧切断形成于上 述复数个槽(42)内的上述第2封装膜(12),将上述晶圆 状态的半导体基板(1)分离为复数个半导体基板(1) 。 图式简单说明: 第1图为本发明之一实施形态的半导体装置的剖视 图。 第2图为在第1图所示半导体装置的制造方法的第1 例中,最初所准备者的剖视图。 第3图为接续第2图之步骤的剖视图。 第4图为接续第3图之步骤的剖视图。 第5图为接续第4图之步骤的剖视图。 第6图为接续第5图之步骤的剖视图。 第7图为接续第6图之步骤的剖视图。 第8图为接续第7图之步骤的剖视图。 第9图为接续第8图之步骤的剖视图。 第10图为接续第9图之步骤的剖视图。 第11图为接续第10图之步骤的剖视图。 第12图为接续第11图之步骤的剖视图。 第13图为接续第12图之步骤的剖视图。 第14图为接续第13图之步骤的剖视图。 第15图为在第1图所示半导体装置的制造方法的第2 例中的指定步骤的剖视图。 第16图为接续第15图之步骤的剖视图。 第17图为接续第16图之步骤的剖视图。 第18图为接续第17图之步骤的剖视图。 第19图为接续第18图之步骤的剖视图。 第20图为在第1图所示半导体装置的制造方法的第3 例中的指定步骤的剖视图。 第21图为接续第20图之步骤的剖视图。 第22图为接续第21图之步骤的剖视图。 第23图为接续第22图之步骤的剖视图。 第24图为接续第23图之步骤的剖视图。 第25图为接续第24图之步骤的剖视图。 第26图为接续第25图之步骤的剖视图。 |
