溅镀靶及其制造方法

摘要

本发明系关于具备平均微晶尺寸为1nm～50nm之组织之烧结体溅镀靶，尤其关于由3元系以上之合金构成并以择自Zr、Pd、Cu、Co、Fe、Ti、Mg、Sr、Y、Nb、Mo、Tc、 Ru、Rh、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te等稀土金属中之至少1元素为主成分之烧结体溅镀靶，且该溅镀靶系藉由烧结雾化粉末而制成。依据本发明可藉由烧结法制得具有极微细高密度且均匀组织之溅镀靶，以替代结晶组织粗且成本高之藉由将金属熔融液急速冷却之块状金属玻璃。

主权项

1.一种溅镀靶,其特征在于: 系藉由将气体雾化粉烧结所得之非晶体,该非晶体 具备平均微晶尺寸为1nm-2nm之组织,以择自Zr、Pt、 Pd、Fe、Co、Cu中至少1元素作为主成分、且以原子 比率计之含量在50at%以上之3元系以上之合金所组 成,具备可满足12%以上的原子半径差及负混合热之 金属玻璃要件,且具有96.4%以上之相对密度。 2.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中,系Zr以原子 比率计之含量为50at%以上之3元系以上之合金,并含 择自Cu、Ni、Al中之至少1种元素以上。 3.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中,系Pt以原子 比率计之含量为50at%以上之3元系以上之合金,并含 择自Pd、Cu、P中之至少1种元素以上。 4.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中,系Pd以原子 比率计之含量为50at%以上之3元系以上之合金,并含 择自Cu、Ni、P中之至少1种元素以上。 5.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中,系Fe以原子 比率计之含量为50at%以上之3元系以上之合金,并含 择自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W中之至少1种 成分与B。 6.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中,系Co以原子 比率计之含量为50at%以上之3元系以上之合金,并含 择自Fe、Ta、B中之至少1种元素以上。 7.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中,系Cu以原子 比率计之含量为50at%以上之3元系以上之合金,并含 择自Zr、Ti中之至少1种元素以上。 8.一种溅镀靶之制造方法,系用来制造申请专利范 围第1-7项中任一项之溅镀靶,其特征在于: 藉由将气体雾化粉烧结以制造出靶镀靶。 图式简单说明: 图1,系实施例1之靶之组织观察相片。 图2,系实施例1之靶之XRD分布图。 图3,系实施例1之溅镀后之靶溅蚀面之SEM(扫描电子 显微镜)影像。 图4,系显示实施例1之靶溅蚀面之表面粗度测定结 果之图。 图5,系比较例1之靶之组织观察照片。 图6,系比较例1之靶之XRD截面图。 图7,系比较例1之溅镀后之靶溅蚀面之SEM影像。 图8,系显示比较例1之靶溅蚀面之表面粗度测定结 果之图。