| 主权项 |
1.一种光感测器模组,其特征为具备:在上面设有光 电变换装置区域(38、113)及连接于该光电变换装置 区域(38、113)之连接衬垫(39、114)的光感测器(35、61 、111);具有复数个外部连接用电极(16、144)且作为 该光感测器(35、61、111)之驱动电路来作用的半导 体构成体(5、131);设于包含前述半导体构成体(5、 131)之侧面上部之周围的绝缘层(18、137);至少设于 前述半导体构成体(5、131)及前述光感测器(35、61 、111)的其中任何一方且设置在该绝缘层(18、137) 上,用来电气连接前述光感测器(35、61、111)之连接 衬垫(39、114)与前述半导体构成体(5、131)的外部连 接用电极(16、144)之配线(22、122)。 2.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中前述 外部连接用电极(16、144)是形成为柱状,而前述半 导体构成体(5、131)更具有半导体基板(7、132)、及 形成在前述半导体基板(7、132)上的连接衬垫(9、 134),而前述外部连接用电极(16、144)系与前述连接 衬垫(9、134)电气连接,且具有设于前述半导体基板 (7、132)上之前述外部连接用电极(16、144)间之密封 膜(17、145)。 3.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中前述 半导体构成体(131)是具有底面,而前述绝缘层(137) 是具有底面,前述半导体构成体(131)的底面及前述 绝缘层(137)之底面是形成面一致。 4.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中前述 半导体构成体(131)是具有贯通绝缘层(137)之厚度方 向的贯通电极(142)。 5.如申请专利范围第4项之光感测器模组,其中前述 半导体构成体(131)更具有设于绝缘层(137)上的配线 (141)。 6.如申请专利范围第5项之光感测器模组,其中前述 外部连接用电极(144)是在前述配线(141)上与前述贯 通电极(142)在前述绝缘层(137)的厚度方向之相反方 向所延伸出的柱状电极。 7.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中前述 半导体构成体(5),是具有设于前述半导体构成体(5) 及前述绝缘层(18)上的绝缘膜(19),而前述配线(22)是 设于前述绝缘膜(19)上。 8.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中前述 光感测器(61、111)具有:具有前述光电变换装置区 域(38、113)的半导体基板(62、112);设于前述半导体 基板(62、112)上之保护膜(65、115);设于前述半导体 基板(62、112)的周围之绝缘层(67、117)。 9.如申请专利范围第8项之光感测器模组,其中在前 述光感测器(61)的绝缘层(67)上具有上面配线(69)。 10.如申请专利范围第8项所记载之光感测器模组, 其中前述配线(122),是设于前述光感测器(111)的绝 缘层(117)上。 11.如申请专利范围第8项之光感测器模组,其中前 述光感测器(61、111),是具有贯通于前述绝缘层(67 、117)的厚度方向之贯通电极(73、123)。 12.如申请专利范围第11项之光感测器模组,其中前 述贯通电极(73)是在前述绝缘层(67)的下面所延伸 出。 13.如申请专利范围第11项之光感测器模组,其中前 述贯通电极(123)是在前述绝缘层(117)的上面所延伸 出。 14.如申请专利范围第8项之光感测器模组,其中前 述半导体基板(112)是具有底面,而前述绝缘层(117) 是具有底面,前述半导体基板(112)的前述底面及前 述绝缘层(117)之前述底面是形成面一致。 15.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中光 感测器模组更具有用来支撑前述半导体构成体(5) 及前述绝缘层(18)的基板(1),而前述配线(22)是在前 述半导体构成体(5)及前述绝缘层(18)上设置成与前 述半导体构成体(5)之外部连接用电极(16)连接。 16.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中光 感测器模组更具有在前述半导体构成体(5)及前述 绝缘层(18)上用以覆盖除了前述配线(22)的连接衬 垫部以外的部分之保护膜(23),而前述光感测器(35 、61)是设置在前述保护膜(over coat)(23)上。 17.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中光 感测器模组更具有用来支撑前述半导体构成体(5) 及前述绝缘层(18)的基板(1),而前述半导体构成体(5 )是在前述基板(1)上,将前述外部连接用电极(16)朝 向与前述基板(1)侧相反面侧作配置。 18.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中前 述半导体构成体(5)更具有贯通前述绝缘层(18)之厚 度方向的上下导通部(56)。 19.如申请专利范围第18项之光感测器模组,其中前 述上下导通部(56)是前述配线(22)的一部分。 20.如申请专利范围第1项所记载之光感测器模组, 其中前述光感测器(35)的连接衬垫,是透过接合线( 42)而与前述配线(22)连接。 21.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中前 述光感测器(61),是在下面具有电气连接于前述配 线(22)的下面配线(74),而光感测器模组更具有连接 前述配线(22)与前述下面配线(74)的焊鍚层(77)。 22.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中光 感测器模组更具有用来将前述半导体构成体(5)及 前述光感测器(35)相互分离地支撑的基板(1),而前 述绝缘层(18)是设置在前述半导体构成体(5)及前述 光感测器(35)之周围的前述基板(1)上。 23.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中在 前述绝缘层(18)内埋入有电子零件(27)。 24.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中光 感测器模组更具有设置在前述光感测器(35、61、 111)的上面之隔离紫外线用玻璃板(45、71、154)。 25.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中光 感测器(35、61、111),是搭载于前述半导体构成体(5 、131)上,且其全体厚度是在1mm以下。 26.如申请专利范围第1项之光感测器模组,其中在 光感测器(35、61、111)的上方配置有透镜(47、152)。 图式简单说明: 第1图是作为本发明之第1实施形态的光感测器模 组之剖面图。 第2图是作为本发明之第2实施形态的光感测器模 组之剖面图。 第3图是作为本发明之第3实施形态的光感测器模 组之剖面图。 第4图是作为本发明之第4实施形态的光感测器模 组之剖面图。 第5图是含第3图所示半导体构成体之部分的制造 时,最初准备之剖面图。 第6图是继续第5图制程的剖面图。 第7图是继续第6图制程的剖面图。 第8图是继续第7图制程的剖面图。 第9图是继续第8图制程的剖面图。 第10图是继续第9图制程的剖面图。 第11图是继续第10图制程的剖面图。 第12图是继续第11图制程的剖面图。 第13图是继续第12图制程的剖面图。 第14图是继续第13图制程的剖面图。 第15图是继续第14图制程的剖面图。 第16图是第15图光感测器模组之制造时,预定制程 的剖面图。 第17图是继续第16图制程的剖面图。 第18图是继续第17图制程的剖面图。 第19图是继续第18图制程的剖面图。 第20图是第1图所示光感测器制造时,最初准备的剖 面图。 第21图是继续第20图制程的剖面图。 第22图是继续第21图制程的剖面图。 第23图是继续第22图制程的剖面图。 第24图是继续第23图制程的剖面图。 第25图是继续第24图制程的剖面图。 第26图是继续第25图制程的剖面图。 第27图是继续第26图制程的剖面图。 第28图是继续第27图制程的剖面图。 第29图是作为本发明之第5实施形态的光感测器模 组之剖面图。 第30图是第29图所示光感测器之制造方法中,最初 制程的剖面图。 第31图是继续第30图制程的剖面图。 第32图是继续第31图制程的剖面图。 第33图是继续第32图制程的剖面图。 第34图是继续第33图制程的剖面图。 第35图是继续第34图制程的剖面图。 第36图是继续第35图制程的剖面图。 第37图是继续第36图制程的剖面图。 第38图是第29图所示半导体构成体之制造方法中, 最初制程的剖面图。 第39图是继续第38图制程的剖面图。 第40图是继续第39图制程的剖面图。 第41图是继续第40图制程的剖面图。 第42图是继续第41图制程的剖面图。 第43图是继续第42图制程的剖面图。 第44图是继续第43图制程的剖面图。 第45图是继续第44图制程的剖面图。 第46图是继续第45图制程的剖面图。 第47图是继续第46图制程的剖面图。 第48图是显示为了用来说明光感测器及半导体构 成体之制造方法其他例的预定制程之剖面图。 第49图是继续第48图制程的剖面图。 第50图是显示为了用来说明光感测器及半导体构 成体之制造方法另外其他例的预定制程之剖面图 。 |
