| 主权项 |
1.一种研磨垫,其系包含由具有微细气泡的聚胺基 甲酸酯树脂发泡体构成之研磨层者,其特征在于: 前述聚胺基甲酸酯树脂发泡体之拉伸破断伸长为 25~120%。 2.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中前述聚胺基 甲酸酯树脂发泡体系1种或2种以上的异氰酸酯末 端预聚合物与链延长剂之反应硬化物,且前述异氰 酸酯末端预聚合物系含有高分子量多元醇成分及 异氰酸酯成分者,且前述异氰酸酯末端预聚合物的 NCO重量%(于2种以上时为平均NCO重量%)为9.3~15重量% 。 3.如申请专利范围第2项之研磨垫,其中前述高分子 量多元醇成分含有数平均分子量500~850之高分子量 多元醇A与数平均分子量900~1500之高分子量多元醇B ,且其含有比率为A/B=36/64~99/1(重量%)。 4.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中前述聚胺基 甲酸酯树脂发泡体之比重为0.7~0.85。 5.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中前述聚胺基 甲酸酯树脂发泡体之ASKER D硬度为56~70度。 6.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中前述聚胺基 甲酸酯树脂发泡体之拉伸强度为15~25MPa。 7.如申请专利范围第2项之研磨垫,其中前述链延长 剂为芳香族二胺。 8.如申请专利范围第7项之研磨垫,其中前述芳香族 二胺系3,5-双(甲硫基)-2,4-甲苯二胺及/或3,5-双(甲 硫基)-2,6-甲苯二胺。 9.如申请专利范围第2项之研磨垫,其中前述异氰酸 酯成分为芳香族二异氰酸酯及脂环式二异氰酸酯 。 10.如申请专利范围第9项之研磨垫,其中前述芳香 族二异氰酸酯为甲苯二异氰酸酯,且前述脂环式二 异氰酸酯为二环己基甲烷二异氰酸酯。 11.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体含有0.05重量%以上、小于5重 量%之不具有羟基的矽系非离子界面活性剂。 12.一种研磨垫,系包含由具有微细气泡的聚胺基甲 酸酯树脂发泡体构成之研磨层者,其特征在于:作 为前述聚胺基甲酸酯树脂发泡体原料成分之高分 子量多元醇成分系数平均分子量500~850之疏水性高 分子量多元醇,且前述聚胺基甲酸酯树脂发泡体含 有10~20重量%之不具有羟基的矽系非离子界面活性 剂。 13.如申请专利范围第12项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体系异氰酸酯末端预聚合物与 链延长剂之反应硬化物,且前述异氰酸酯末端预聚 合物系含有前述疏水性高分子量多元醇及异氰酸 酯成分者。 14.如申请专利范围第12项之研磨垫,其中前述疏水 性高分子量多元醇为聚酯多元醇。 15.如申请专利范围第12项之研磨垫,其中前述疏水 性高分子量多元醇为聚丁醚二醇。 16.如申请专利范围第13项之研磨垫,其中前述异氰 酸酯成分为芳香族二异氰酸酯及脂环式二异氰酸 酯。 17.如申请专利范围第16项之研磨垫,其中前述芳香 族二异氰酸酯为甲苯二异氰酸酯,且前述脂环式二 异氰酸酯为二环己基甲烷二异氰酸酯。 18.如申请专利范围第13项之研磨垫,其中前述链延 长剂为芳香族二胺。 19.如申请专利范围第18项之研磨垫,其中前述芳香 族二胺为非卤素系芳香族二胺。 20.如申请专利范围第12项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体之比重为0.65~0.86。 21.如申请专利范围第12项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体之ASKER D硬度为50~65度。 22.如申请专利范围第12项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体之拉伸强度为15~25MPa。 23.如申请专利范围第12项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体之拉伸破断伸长为25~100%。 24.一种研磨垫之制造方法,系包含将含有异氰酸酯 末端预聚合物之第1成分与含有链延长剂之第2成 分混合、硬化后,制成聚胺基甲酸酯树脂发泡体之 步骤(1)者,其特征在于:前述步骤(1)系于含有异氰 酸酯末端预聚合物之第1成分中添加不具有羟基的 矽系非离子界面活性剂,使矽系非离子界面活性剂 于聚胺基甲酸酯树脂发泡体中占10~20重量%,进而将 前述第1成分与非反应性气体搅拌,调制以前述非 反应性气体作为微细气泡而分散之气泡分散液后, 于前述气泡分散液中混合含有链延长剂之第2成分 ,使之硬化后制作聚胺基甲酸酯树脂发泡体之步骤 ,且作为前述异氰酸酯末端预聚合物的原料成分之 高分子量多元醇成分系数平均分子量500~850之疏水 性高分子量多元醇。 25.一种研磨垫,其系藉由申请专利范围第24项之方 法而制造者。 26.一种研磨垫,其系包含由具有微细气泡的聚胺基 甲酸酯树脂发泡体构成且于研磨表面具有凹凸构 造之研磨层者,其特征在于: 前述聚胺基甲酸酯树脂发泡体之ASKER D硬度系45~55 度、比重系0.8~0.86且拉伸破断伸长系120~150 %。 27.如申请专利范围第26项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体系1种或2种以上的异氰酸酯 末端预聚合物与链延长剂之反应硬化物,且前述异 氰酸酯末端预聚合物系含有高分子量多元醇成分 及异氰酸酯成分者,并且前述异氰酸酯末端预聚合 物的NCO重量%(于2种以上时为平均NCO重量%)为9.3~15 重量%。 28.如申请专利范围第27项之研磨垫,其中前述高分 子量多元醇成分系数平均分子量500~850之高分子量 多元醇A与数平均分子量900~1500之高分子量多元醇B 的含有比率为A/B=5/95~35/65(重量%)。 29.如申请专利范围第26项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体之拉伸强度为15~25MPa。 30.如申请专利范围第27项之研磨垫,其中前述链延 长剂为芳香族二胺。 31.如申请专利范围第30项之研磨垫,其中前述芳香 族二胺系3,5-双(甲硫基)-2,4-甲苯二胺及/或3,5-双( 甲硫基)-2,6-甲苯二胺。 32.如申请专利范围第27项之研磨垫,其中前述异氰 酸酯成分为芳香族二异氰酸酯及脂环式二异氰酸 酯。 33.如申请专利范围第32项之研磨垫,其中前述芳香 族二异氰酸酯为甲苯二异氰酸酯,且前述脂环式二 异氰酸酯为二环己基甲烷二异氰酸酯。 34.如申请专利范围第26项之研磨垫,其中前述聚胺 基甲酸酯树脂发泡体含有0.05~10重量%之不具有羟 基的矽系非离子界面活性剂。 35.如申请专利范围第26项之研磨垫,其中修整速度 为5~10m/min。 36.一种半导体元件之制造方法,包含使用申请专利 范围第1、12或26项之研磨垫研磨半导体晶圆之表 面的步骤。 图式简单说明: 第1图系显示于CMP研磨所使用的研磨装置之一例之 概略构造图。 |
