| 主权项 |
1.一种化学机械研磨垫基板,其包含微孔洞聚合发 泡体,其中至少70%之该微孔洞聚合发泡体之孔洞系 封闭气室的且其平均孔径在0.01 m至10 m之范围 内。 2.如请求项1之研磨垫基板,其中该微孔洞聚合发泡 体之孔洞之平均气室尺寸在0.05 m至5 m之范围 内。 3.如请求项1之研磨垫基板,其中该微孔洞聚合发泡 体之平均气室密度为至少105个气室/立方公分。 4.如请求项1之研磨垫基板,其中该微孔洞聚合发泡 体之孔体积为95%或更小。 5.如请求项1之研磨垫基板,其中该微孔洞聚合发泡 体之衬垫密度为至少0.5 g/cm3且相对密度在40%至93% 之范围内。 6.如请求项1之研磨垫基板,其中该微孔洞聚合发泡 体之硬度在75肖氏(Shore)A至75肖氏D之范围内。 7.如请求项1之研磨垫基板,其中该衬垫之压缩百分 比与衬垫反弹百分比之比在0.01至1.0之范围内,其 系藉由Ames方法在5 psi下量测的。 8.如请求项1之研磨垫基板,其中该聚合发泡体包含 热塑性聚胺基甲酸酯。 9.如请求项8之研磨垫基板,其中该热塑性聚胺基甲 酸酯之重量平均分子量在20,000 g/mol至600,000 g/mol之 范围内。 10.如请求项9之研磨垫基板,其中该热塑性聚胺基 甲酸酯之多分散性指数在1至10之范围内。 11.如请求项9之研磨垫基板,其中该热塑性聚胺基 甲酸酯在210℃之温度及2160 g之负载下经过10分钟 后之熔体流动指数在0.1至30之范围内。 12.如请求项9之研磨垫基板,其中该热塑性聚胺基 甲酸酯之挠曲模数在25 psi至200,000 psi之范围内。 13.如请求项9之研磨垫基板,其中该热塑性聚胺基 甲酸酯之流变处理指数在2至10之范围内。 14.如请求项9之研磨垫基板,其中该热塑性聚胺基 甲酸酯之玻璃转移温度在20℃至120℃之范围内。 15.一种化学机械研磨装置,其包含: (a)一旋转之压板, (b)一包含如请求项1之研磨垫基板之研磨垫,及 (c)一固持一工件之载体,该工件待藉由接触该旋转 研磨垫而进行研磨。 16.如请求项15之装置,其中该研磨垫基板包含热塑 性聚胺基甲酸酯。 17.一种用于制造如请求项1之研磨垫基板之方法, 其包含: (a)将一实心聚合物薄片与一超临界气体在容器中 于高温及高压下组合直至该气体已使该聚合物薄 片饱和, (b)释放压力以自该气体饱和之聚合物薄片提供一 微孔洞聚合发泡体,及 (c)自该微孔洞聚合发泡体形成一研磨垫。 18.如请求项17之方法,其中该气体包含氮气、二氧 化碳,或其任何组合。 19.如请求项17之方法,其中该研磨垫基板包含热塑 性聚胺基甲酸酯。 20.如请求项19之方法,其中该热塑性聚胺基甲酸酯 之重量平均分子量在20,000 g/mol至600,000 g/mol之范围 内。 图式简单说明: 图1展示商业Freudenberg FX-9衬垫与本发明之衬垫之Cu 移除率之比较;及 图2展示图1之Cu研磨之晶圆内不均一性资料。 |
