发明名称 基板处理装置
摘要 一种基板处理装置,通过至少两次呈帘状供给处理液,从而能够显着降低处理液帘在基板表面供给不均匀的产生概率,且通过增大处理液的供给量而提高处理液的置换性能。该基板处理装置在处理腔室(12)内对在搬送路径上搬送的基板(B)进行处理,该基板处理装置具有配置在搬送路径上方位置的入口喷嘴部(20)。入口喷嘴部(20)一体具有由第一、第二构件(20A、20B)构成的第一喷嘴部、以及由第二、第三构件(20B、20C)构成的第二喷嘴部。第一、第二喷嘴部的喷出口(2012a、2022a)分别在基板的宽度方向上呈帘状喷出处理液。
申请公布号 TWM331181 申请公布日期 2008.04.21
申请号 TW096204566 申请日期 2007.03.21
申请人 大网目版制造股份有限公司 发明人 富藤幸雄
分类号 H01L21/30(2006.01);G03F7/42(2006.01) 主分类号 H01L21/30(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种基板处理装置,其在处理槽内对在搬送路径 上搬送的基板供给处理液,从而进行给定的处理, 其特征在于: 该装置包括处理液供给机构,该处理液供给机构配 置在上述搬送路径的上方位置处,向搬送中的基板 供给处理液,上述处理液供给机构至少具有第一处 理液供给机构和第二处理液供给机构,上述第一、 第二处理液供给机构分别具有向上述搬送路径的 宽度方向呈帘状喷出处理液的细长的第一、第二 喷出口。 2.如申请专利范围第1项所述的基板处理装置,其中 ,上述第一、第二喷出口朝向基板搬送方向。 3.如申请专利范围第1项所述的基板处理装置,其中 ,上述第一、第二处理液供给机构在上下方向上具 有层叠结构,且一体构成。 4.如申请专利范围第3项所述的基板处理装置,其中 ,上述第一、第二处理液供给机构由三个构件在上 下方向上层叠成一体而构成,其中该三个构件形状 相同,且具有在上述宽度方向上细长的长方体形状 ,并且相互相邻的构件在相对置的部位、且在相互 错开的位置处分别具有作为内部空间的处理液存 积部,并且分别具有从各处理液存积部延伸到搬送 方向下游侧的喷出口处的喷出路径。 5.如申请专利范围第4项所述的基板处理装置,其中 ,上述第一、第二处理液供给机构分别具有自上述 各处理液存积部穿设到上述构件上表面的处理液 注入路径。 6.如申请专利范围第1项所述的基板处理装置,其中 ,上述第一、第二处理液供给机构的第一、第二喷 出口相对水平方向倾斜约20。 7.如申请专利范围第1项所述的基板处理装置,其中 ,具有调节构件,该调节构件在上下方向上调节上 述第一、第二处理液供给机构的位置。 8.如申请专利范围第7项所述的基板处理装置,其中 ,通过上述调节构件对上述第一、第二处理液供给 机构的高度进行调整,使得来自上述第一、第二喷 出口的喷出液在搬送路径上的搬送方向上落到大 致相同的位置上。 9.如申请专利范围第1项所述的基板处理装置,其中 ,上述处理槽具有接收上述基板的入口开口,上述 处理液供给机构位于上述处理槽内,配置于上述入 口开口附近。 图式简单说明: 第1图是以概略结构表示本创作基板处理装置的一 个实施例的侧剖视图。 第2图(A)、第2图(B)是表示入口喷嘴部的内部结构 的图,其中第2图(A)是表示入口喷嘴部的内部结构 的侧剖视图,第2图(B)是表示入口喷嘴部的内部结 构的俯视图。 第3图是表示将入口喷嘴部定位并固定在处理腔室 内的给定位置上的支撑部的一个实施例的侧视图 。
地址 日本