| 主权项 |
1.一种处理基板之方法,该方法包含下列步骤: 供应一种处理气体,其同时地包括一种含SO2之第一 气体、一种含SiF4或SF4之第二气体以及一种含氯之 第三气体;以及 由该处理气体形成电浆。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该含氯之第三 气体包含SiCl4及Cl2中之至少一者。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该处理气体包 含SO2、SF4及SiCl4。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该处理气体包 含SO2、SF4及Cl2。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该处理气体包 含SO2、SiF4及SiCl4。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该处理气体包 含SO2、SiF4及Cl2。 7.如申请专利范围第3项之方法,其中SO2流速的大小 范围从1至200 sccm。 8.如申请专利范围第3项之方法,其中SF4流速的大小 范围从1至750 sccm。 9.如申请专利范围第3项之方法,其中SiCl4流速的大 小范围从5至400 sccm。 10.如申请专利范围第3项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至200 sccm,SF4流速的大小范围从1至750 sccm 以及SiCl4流速的大小范围从5至400 sccm。 11.如申请专利范围第3项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至100 sccm之范围,SF4流速的大小范围从1 至300 sccm以及SiCl4流速的大小范围从10至150 sccm。 12.如申请专利范围第4项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至200 sccm。 13.如申请专利范围第4项之方法,其中SF4流速的大 小范围从1至750 sccm。 14.如申请专利范围第4项之方法,其中Cl2流速的大 小范围从10至750 sccm。 15.如申请专利范围第4项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至200 sccm,SF4流速的大小范围从1至750 sccm 以及Cl2流速的大小范围从10至750 sccm。 16.如申请专利范围第4项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至100 sccm,SF4流速的大小范围从1至300 sccm 以及Cl2流速的大小范围从25至300 sccm。 17.如申请专利范围第5项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至200 sccm。 18.如申请专利范围第5项之方法,其中SiF4流速的大 小范围从1至750 sccm。 19.如申请专利范围第5项之方法,其中SiCl4流速的大 小范围从5至400 sccm。 20.如申请专利范围第5项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至200 sccm,SiF4流速的大小范围从1至750 sccm以及SiCl4流速的大小范围从5至400 sccm。 21.如申请专利范围第5项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至100 sccm,SiF4流速的大小范围从1至300 sccm以及SiCl4流速的大小范围从10至150 sccm。 22.如申请专利范围第6项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至200 sccm。 23.如申请专利范围第6项之方法,其中SiF4流速的大 小范围从1至750 sccm。 24.如申请专利范围第6项之方法,其中Cl2流速的大 小范围从10至750 sccm。 25.如申请专利范围第6项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至200 sccm,SiF4流速的大小范围从1至750 sccm以及Cl2流速的大小范围从10至750 sccm。 26.如申请专利范围第6项之方法,其中SO2流速的大 小范围从1至100 sccm,SiF4流速的大小范围从1至300 sccm以及Cl2流速的大小范围从25至300 sccm。 27.如申请专利范围第1项之方法,其中该处理气体 进一步包括一种惰性气体。 28.如申请专利范围第27项之方法,其中该惰性气体 包含氩、氦、氙、氪及氮中之至少一者。 29.一种处理基板之方法,该方法包含下列步骤: 供应一种处理气体,其同时地包括至少一种含SO2之 沉积气体以及至少一种含SiF4或SF4之蚀刻气体;以 及 由该处理气体形成电浆。 30.一种电浆处理系统,包含: 一处理腔室; 一气体注入系统,其系配置成用以将一种处理气体 注入该处理腔室内部;以及 一电浆源,其系配置成由该处理气体形成电浆,其 中: 该处理气体同时地包括一种含氧之第一气体,一种 含氟之第二气体以及一种含氯之第三气体以及该 第一气体包含SO2及该第二气体包含SiF4或SF4。 31.如申请专利范围第30项之系统,其中该电浆源包 含一感应线圈。 32.如申请专利范围第30项之系统,其中该电浆源包 含一板电极。 33.如申请专利范围第30项之系统,其中该含氯之第 三气体包含SiCl4及Cl2中之至少一者。 34.如申请专利范围第30项之系统,其中该第一气体 包含SO2及该处理气体包含SF4及SiCl4。 35.如申请专利范围第30项之系统,其中该第一气体 包含SO2及该处理气体包含SF4及Cl2。 36.如申请专利范围第30项之系统,其中该第一气体 包含SO2及该处理气体包含SiF4及SiCl4。 37.如申请专利范围第30项之系统,其中该第一气体 包含SO2及该处理气体包含SiF4及Cl2。 38.如申请专利范围第30项之系统,其中该处理气体 进一步包括一种惰性气体。 39.如申请专利范围第38项之系统,其中该惰性气体 包含氩、氦、氙、氪及氮中之至少一者。 40.一种电浆处理系统,包含: 一处理腔室; 一气体注入系统,其系配置成用以将一种处理气体 注入该处理腔室内部;以及 一电浆源,其系配置成由该处理气体形成电浆,其 中: 该处理气体同时地包含一种沉积气体以及一种蚀 刻气体以及该沈积气体包含SO2及该蚀刻气体包含 SF4或SiF4。 41.如申请专利范围第40项之系统,其中该电浆源包 含一感应线圈。 42.如申请专利范围第40项之系统,其中该电浆源包 含一板电极。 图式简单说明: 图1显示基板特征结构之示意剖面图; 图2显示根据本发明之第一具体实施例之电浆处理 系统; 图3显示根据本发明之第二具体实施例之电浆处理 系统; 图4显示根据本发明之第三具体实施例之电浆处理 系统; 图5显示根据本发明之第四具体实施例之电浆处理 系统;以及 图6显示若干化学键之键结强度表。 |
