| 主权项 |
1.一种发光装置,包括: 一基板,该基板表面具有一提升出光效率之结构; 至少一发光元件,系设置于该基板上之一预设位置 处;以及 一保护层,包覆该发光元件。 2.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该基 板之材质系为具热导性之材料。 3.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该基 板之材质系选自铝、镁、钛及其合金至少其中之 一。 4.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其更包括 一第一绝缘层,位于该基板与该发光元件之间,其 中该第一绝缘层之材质系选自铝、镁及钛至少其 中之一之氧化物、氮化物或碳化物。 5.如申请专利范围第4项所述之发光装置,其更包括 一金属层,系设置于该第一绝缘层之上,其中该金 属层之材质系为银、金、铜、铝及其合金至少其 中之一。 6.如申请专利范围第5项所述之发光装置,其中该发 光元件系直接与该金属层电性连接。 7.如申请专利范围第5项所述之发光装置,其更包括 一连接层,系设置于该金属层与该第一绝缘层之间 ,用以使该金属层可以设置于该第一绝缘层之上。 8.如申请专利范围第7项所述之发光装置,其中该连 接层之材质系选自铬、钛、镍及其合金至少其中 之一。 9.如申请专利范围第7项所述之发光装置,其中该连 接层具有黏着性。 10.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其更包 括一第二绝缘层,位于该基板上之该提升出光效率 之结构之外,其中该第二绝缘层之材质系选自铝、 镁及钛至少其中之一之氧化物、氮化物或碳化物 。 11.如申请专利范围第10项所述之发光装置,其更包 括一导线架,系具有一第一电极接脚与一第二电极 接脚设置于该第二绝缘层之上,并分别与该发光元 件电性连接。 12.如申请专利范围第4或10项所述之发光装置,其中 该绝缘层系藉由氧化、氮化或碳化该基板表面而 形成。 13.如申请专利范围第4或10项所述之发光装置,其中 该绝缘层系藉由蒸镀方式、溅镀方式或化学气相 沈积方式(CVD)而形成。 14.如申请专利范围第13项所述之发光装置,其中该 绝缘层系以黄光微影(photolithigraphy)制程或网版印 刷制程的方式形成。 15.如申请专利范围第1或10项所述之发光装置,其更 包括一另一金属层,系设置于该第二绝缘层之上, 该发光元件系直接与该金属层藉由至少一导线电 性连接。 16.如申请专利范围第15项所述之发光装置,其更包 括至少一连接垫,其中该连接垫与该金属层藉由至 少一导线电性连接。 17.如申请专利范围第15项所述之发光装置,其更包 括一连接层,系设置于该另一金属层与该第二绝缘 层之间,用以使该金属层可以设置于该第二绝缘层 之上。 18.如申请专利范围第17项所述之发光装置,其中该 连接层之材质系选自铬、钛、镍及其合金至少其 中之一。 19.如申请专利范围第17项所述之发光装置,其中该 连接层具有黏着性。 20.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该 提升出光效率之结构系为一凹槽。 21.如申请专利范围第20项所述之发光装置,其中该 凹槽之形状系选自于下列群组:圆球形、椭圆球形 与抛物体形。 22.如申请专利范围第21项所述之发光装置,其中该 凹槽具有一焦点,该发光元件位于该预设位置处时 ,使该发光元件位于该凹槽之该焦点上。 23.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其更包 括一反射层,系设置于该提升出光效率之结构上。 24.如申请专利范围第23项所述之发光装置,其中该 反射层之材质系包括银、金或镍。 25.如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该 发光元件系为一发光二极体、一雷射二极体或一 有机发光二极体。 图式简单说明: 图1为一种习知之LED发光装置的示意图; 图2至图5为依据本发明之各种实施例的发光装置 的示意图。 |
