| 主权项 |
1.一种用以制造涂敷磊晶之矽晶圆之方法,其中,提 供许多至少正面业经抛过光之矽晶圆及依次在磊 晶反应器内逐步个别涂敷,其中,所提供之各个矽 晶圆放在磊晶反应器内之晶座上,第一步,于氢环 境(气氛)中施以预处理,及第二步,将蚀刻介质加入 该氢环境(气氛)内,随后在抛过光之正面上涂敷磊 晶,并将其自磊晶反应器移走,其中在涂敷磊晶一 特定次数之后,将该晶座施以蚀刻处理,并在该蚀 刻处理之后,将该晶座施以亲水化。 2.如请求项1之方法,其中系将一亲水晶圆之至少一 个亲水面短时间置于该晶座上及随后将该晶圆自 磊晶反应器移走将该晶座亲水化。 3.如请求项1或2之方法,其中于每次涂敷磊晶之后 实施该晶座之蚀刻处理。 4.如请求项1或2之方法,其中于该晶座蚀刻处理之 后将一矽层沉积在该晶座上。 5.如请求项2之方法,其中将该亲水晶圆置于该晶座 上1至30秒钟,在此情况下,温度为700至1100℃。 6.如请求项2之方法,其中该亲水晶圆系一矽晶圆且 该矽晶圆上之亲水层系一热氧化物层。 7.如请求项6之方法,其中系将该矽晶圆之热氧化物 层置于该晶座上1至30秒钟,在此情况下之温度为700 至900℃。 8.如请求项2之方法,其中该亲水晶圆系使用多次。 9.如请求项1或2之方法,其中所提供之矽晶圆,其正 面及反面都是藉助于双面抛光法加以抛光者。 10.如请求项1或2之方法,其中所提供之矽晶圆,其正 面是藉助于化学机械抛光法加以抛光。 11.如请求项1或2之方法,其中使用之晶座具有经抛 过光之支承区域。 12.如请求项1或2之方法,其中所提供之矽晶圆是:单 结晶矽晶圆、绝缘体上有矽之晶圆、具有应变矽 层之晶圆或绝缘体上有应变矽之晶圆。 13.一种矽晶圆,该矽晶圆具有正面及背面,至少其 正面业经抛过光且至少其正面上涂敷磊晶层,相对 于该涂敷过之矽晶圆正面上、尺寸为268平方公厘 、测视窗口之一个区域网格部分区域之至少99%及2 公厘周边除外范围,该矽晶圆之最大局部平面度 SFQRmax为0.01微米至0.035微米。 14.如请求项13之矽晶圆,包括:业经抛过光之正面及 背面,经化学机械抛光法抛过光之正面及正面上之 磊晶层,该矽晶圆之最大局部平面度SFQRmax为0.01微 米至0.025微米。 15.如请求项14之矽晶圆,其正面及背面系藉助于双 面抛光法抛光者。 16.如请求项13至15中任一项之矽晶圆,相对于该涂 敷过之矽晶圆正面上、尺寸为268平方公厘、测视 窗口之一个区域网格所有之部分区域,该矽晶圆之 最大局部平面度SFQRmax为0.01微米至0.02微米。 17.如请求项13至15中任一项之矽晶圆,该矽晶圆包 括:单结晶矽晶圆、绝缘体上有矽之晶圆、具有应 变矽层之晶圆或绝缘体上有应变矽之晶圆,该矽晶 圆具有磊晶层。 18.如请求项13至15中任一项之矽晶圆,涂敷于其正 面上之磊晶层厚度为0.5至5微米。 图式简单说明: 第1图所示系一正面业经依化学机械抛光法抛过光 矽晶圆之局部平面度。 第2图所示系先前技术磊晶层、来自第1图之矽晶 圆之局部平面度。 第3图所示系正面业经化学机械抛光法抛过光之矽 晶圆之局部平面度。 第4图所示系本发明磊晶层、来自第3图之矽晶圆 之局部平面度。 第5图所示系正面业经依化学机械抛光法抛过光之 矽晶圆之厚度,该厚度系以该矽晶圆之半径为坐标 绘制者("直线扫描")。 第6图所示系一具有本发明磊晶层且正面事先业经 依化学机械抛光法抛过光之矽晶圆之厚度、以该 矽晶圆半径为坐标之直线扫描图。 第7图所示系一具有本发明磊晶层且正面事先业经 依化学机械抛光法抛过光之矽晶圆厚度与正面上 业经以无蒙雾方式抛过光之该矽晶圆厚度之差以 半径为坐标之(直线扫描)。 |
