| 主权项 |
1.一种积层体,其系在合成树脂薄膜的单面设置金 属层、另一面设置接着剂层而成的金属积层体,其 中前述合成树脂薄膜为聚醯亚胺薄膜,前述金属层 为5 m以下的金属箔。 2.如申请专利范围第1项之积层体,其中前述合成树 脂薄膜和前述金属层系藉由接着剂而接着。 3.如申请专利范围第1项之积层体,其中前述接着剂 含有聚醯亚胺树脂。 4.如申请专利范围第3项之积层体,其中前述含有聚 醯亚胺树脂之接着剂含有热固性树脂。 5.如申请专利范围第1项之积层体,其中前述接着剂 可在220℃以下的温度下与前述金属层或电路基板 积层。 6.如申请专利范围第1项之积层体,其中前述聚醯亚 胺薄膜的厚度为50 m以下、抗拉弹性系数为4GPa 以上、线膨胀系数为20ppm以下。 7.如申请专利范围第1项之积层体,其中前述金属箔 为附有载体之金属箔。 8.如申请专利范围第1项之积层体,其中前述合成树 脂薄膜为聚醯亚胺薄膜,其系将部份醯亚胺化或部 份乾燥后的聚醯胺酸薄膜浸渍到包含由铝、矽、 钛、锰、铁、钴、铜、锌、锡、锑、铅、铋及钯 所成群选出之至少一种元素之化合物之溶液中,或 涂抹该溶液之后,完全乾燥该聚醯胺酸薄膜且将之 醯亚胺化而得之含有前述至少一种元素者。 9.一种积层体,其系在合成树脂薄膜的单面或双面 设置厚5 m以下的金属箔而成的金属积层体,其中 前述合成树脂薄膜为聚醯亚胺薄膜,其系将部份醯 亚胺化或部份乾燥后的聚醯胺酸薄膜浸渍到包含 由铝、矽、钛、锰、铁、钴、铜、锌、锡、锑、 铅、铋及钯所成群选出之至少一种元素之化合物 之溶液中,或涂抹该溶液之后,完全乾燥该聚醯胺 酸薄膜且将之醯亚胺化而得之含有前述至少一种 元素者,且前述聚醯胺酸薄膜为经化学性方法、或 经化学性方法与热性方法并用所得者。 10.如申请专利范围第9项之积层体,其中在前述合 成树脂薄膜的一面设置厚5 m以下金属层,另一面 设置接着剂层。 11.如申请专利范围第10项之积层体,其中前述接着 剂含有聚醯亚胺树脂。 12.如申请专利范围第11项之积层体,其中前述含有 聚醯亚胺树脂之接着剂含有热固性树脂。 13.如申请专利范围第11或12项之积层体,其中接着 剂可在220℃以下的温度与前述金属层或电路基板 积层。 14.如申请专利范围第9项之积层体,其中前述金属 层系用选自由溅镀、离子镀膜、电子束蒸镀、电 阻加热蒸镀、化学镀膜及电镀方法所成群之方法 而直接在前述合成树脂薄膜上形成者。 15.一种积层体,其系在合成树脂薄膜的单面或双面 设置金属层而成的金属积层体,其中前述合成树脂 薄膜为聚醯亚胺薄膜,前述金属层为5 m以下的金 属箔,且前述合成树脂薄膜和前述金属层系藉由接 着剂而接着。 16.如申请专利范围第15项之积层体,其中前述接着 剂含有聚醯亚胺树脂。 17.如申请专利范围第16项之积层体,其中前述含有 聚醯亚胺树脂之接着剂含有热固性树脂。 18.如申请专利范围第17项之积层体,其中前述接着 剂可在220℃以下的温度下与前述金属层或电路基 板积层。 19.一种积层体,其系在聚醯亚胺薄膜的单面或双面 设置金属层而成的金属积层体,其中前述金属层为 5 m以下的金属箔。 20.如申请专利范围第19项之积层体,其中前述聚醯 亚胺薄膜的厚度为50 m以下、抗拉弹性系数为4 GPa以上、线膨胀系数为20ppm以下。 21.一种积层体,其系在合成树脂薄膜的单面或双面 设置金属层而成的金属积层体,其中前述合成树脂 薄膜为聚醯亚胺薄膜,前述金属层为5 m以下的附 有载体之金属箔。 22.一种积层体,其系在合成树脂薄膜的单面或双面 设置金属层而成的金属积层体,其中前述金属层为 5 m以下的金属箔,前述合成树脂薄膜为聚醯亚胺 薄膜,其系将部份醯亚胺化或部份乾燥后的聚醯胺 酸薄膜浸渍到包含由铝、矽、钛、锰、铁、钴、 铜、锌、锡、锑、铅、铋及钯所成群选出之至少 一种元素之化合物之溶液中,或涂抹该溶液之后, 完全乾燥该聚醯胺酸薄膜且将之醯亚胺化而得之 含有前述至少一种元素者。 |
