| 主权项 |
1.一种曝光一预定图案并连续或随后移动一待曝 光之基板之曝光区域之曝光方法,包含移动曝光区 域,该曝光区域为一矩形及一椭圆形其中之一并具 有一长侧及一短侧,该短侧之长度为该长侧之长度 的1/5至1/3,且该曝光区域的移动使得该短侧对齐该 基板之该曝光表面上存在之波浪的方向,其中待曝 光之基板为玻璃基板,玻璃基板之厚度变化在特定 方向甚大,厚度变化之方向系由与制造时玻璃基板 拉出方向大致上成直角交叉所造成。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中基板之曝光表 面上之波浪系由基板之厚度变化引起。 3.一种曝光装置,包含: 一机构以侦测待曝光之基板之曝光表面之位移,及 一装置以控制基板表面之倾斜及高度以曝光一预 定图案,而连续或随后在基板上移动一曝光区域, 该曝光区域为一矩形及一椭圆形其中之一并具有 一长侧及一短侧,该短侧之长度为该长侧之长度的 1/5至1/3,且该曝光区域的移动使得该短侧对齐该基 板之该曝光表面上存在之波浪的方向, 该装置尚包含根据侦出之位移以控制基板表面之 倾斜及高度,及沿一特定方向移动曝光区域,该方 向中,引起表面大致上对应基板表面之基板厚度变 化,在曝光之任何时间大量发生。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中在该基板表面 之倾斜控制时,至少任一方向被利用作倾斜轴,因 该方向中厚度变化甚大,及一方向以直角与厚度变 化大之方向交叉。 5.如申请专利范围第4项之装置,其中在控制基板表 面之倾斜时,基板放置之该台之四个角落以垂直移 动。 图式简单说明: 第1图为本发明一特性之曝光装置之一例之概略图 。 第2图为一曲线显示待曝光物件厚度之不均匀分布 。 第3图为略图说明第2图中一物件之三维曝光表面 。 第4A图及第4B图为略图说明一曝光场之扫描方向及 位移差间之关系。 第5图为略图说明曝光方法之一例,在Y方向扫描一 曝光场与本发明之实施例作一比较。 第6图为略图说明曝光方法之一例,根据本发明在X 方向扫描一曝光场。 第7图为略图说明曝光方法之一例,根据本发明之 一特性同时实施倾斜及垂直运动。 第8A图及第8B图为略图说明第7图中说明之倾斜及 垂直运动之效应。 第9A图及第9B图为略图说明在第8A图及第8B图说明 之条件下曝光场之倾斜及旋转轴间之关系。 第10A图及第10B图为略图说明因第9A图及第9B图中之 倾斜控制之结果所获得之明显波浪之平面分布之 一例。 第11图为略图显示可用于第1图之曝光装置中之控 制装置之一例。 第12图为略图显示本发明之倾斜及垂直运动中之 一压电元件设定一作业量(控制量)之方法之一例 。 第13图为略图显示本发明之平坦化机构应用在一 雷射晶体化装置之一例。 第14图为略图说明第13图中晶体化之雷射装置之作 业(控制)之一例。 第15图为略图说明本发明之平坦化机构用于雷射 退火装置之一例。 第16图为略图显示分布及扫描曝光装置之一例。 |
