发明名称 发光二极体封装结构
摘要 一种发光二极体封装结构,至少包含一基座及弯折扣于基座同一侧的电极所构成。基座之上部、下部及底部的处各具有平行凸出之突起平台。电极穿设于基座中并从基座之下部伸出,且自基座下部向基座底部弯折,而分别扣于基座的下部及底部。
申请公布号 TWM330569 申请公布日期 2008.04.11
申请号 TW096216921 申请日期 2007.10.09
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 陈崇福;张正宜
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种发光二极体封装结构,至少包含: 一基座,为一长方立体结构,于该基座之长边的一 上部、一下部及一底部之中央处各具有平行凸出 之一突起平台,而于该基座之一顶部凹设一反射槽 ;以及 一第一电极、一第二电极,分别穿设于该基座且一 部分突出显露于该反射槽中而组成一导电支架组, 该第一电极及该第二电极自该基座之该下部分别 向外伸出一第一弯折部及一第二弯折部,且该第一 弯折部及该第二弯折部自该基座之该下部向该底 部弯折,而分别扣于该底部。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该突起平台突起于该基座之该下部的高度 ,洽为该第一弯折部及该第二弯折部扣于该基座之 该下部的厚度。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该突起平台突起于该基座之该底部的高度 ,洽为该第一弯折部及该第二弯折部扣于该基座之 该底部的厚度。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其更包含一发光二极体晶片设于该反射槽中。 5.如申请专利范围第4项所述之发光二极体封装结 构,其中该发光二极体晶片系透过一接合焊线( bonding wire)电性连接至该导线架组。 6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体封装结 构,其更包含于该反射槽封装一封装树脂。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该基座的该底部之该突起平台中央,更包 含凹设一定位孔。 8.一种发光二极体元件,至少包含: 一基座,为一长方立体结构,于该基座之长边的一 上部、一下部及一底部之中央处各具有平行凸出 之一突起平台,而于该基座之一顶部凹设一反射槽 ; 一第一电极、一第二电极,分别穿设于该长方体基 座且一部分突出显露于该反射槽中而组成一导电 支架组,该第一电极及该第二电极自该基座之该下 部分别向外伸出一第一弯折部及一第二弯折部,且 该第一弯折部及该第二弯折部自该基座之该下部 向该底部弯折,而分别扣于该底部;以及 一发光二极体晶片,设于该反射槽中并电性连接至 该导电支架组。 9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体元件,其 中该突起平台突起于该基座之该下部的高度,洽为 该第一弯折部及该第二弯折部扣于该基座之该下 部的厚度。 10.如申请专利范围第8项所述之发光二极体元件, 其中该突起平台突起于该基座之该底部的高度,洽 为该第一弯折部及该第二弯折部扣于该基座之该 下部的厚度。 11.如申请专利范围第8项所述之发光二极体元件, 其中该发光二极体晶片更包含透过一接合焊线( bonding wire)电性连接至该导线架组。 12.如申请专利范围第8项所述之发光二极体元件, 其更包含于该反射槽封装一封装树脂。 13.如申请专利范围第8项所述之发光二极体元件, 其中该基座的该底部之该突起平台中央,更包含凹 设一定位孔。 图式简单说明: 第1A、1B图,系为本创作发光二极体封装结构之立 体图。 第2A图,系为本创作发光二极体封装结构之AA'剖面 图。 第2B图,系为本创作发光二极体封装结构之B方向侧 视图。
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