| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征系为: 包括: 于半导体基板中至少一部分形成含有杂质、且吸 收红外线之半导体层之制程(a); 藉由以红外线照射上述半导体基板,于所定之制程 温度下对上述半导体基板进行热处理之制程(b); 上述制程(a)所形成之上述半导体层,从平面上看系 设置于上述半导体基板之全表面上。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其特征系为: 上述制程(b)进一步包括: 检测从上述半导体基板散发出之红外放射光之制 程(b1); 以上述红外放射光之强度测定上述半导体基板之 温度,从而控制上述红外线之输出之制程(b2)。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其特征系为: 上述半导体基板系矽基板; 上述红外线之波长系于0.2m以上5.0m以下之范 围内。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其特征系为: 上述制程(b),系包含保持基板于上述制程温度之加 热处理前低于上述制程温度之低温,使基板温度稳 定化之制程。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其特征系为: 于上述使基板温度稳定之制程,上述基板温度系于 700度以下。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其特征系为: 于上述使基板温度稳定之制程,上述基板温度系于 600度以下。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其特征系为: 上述半导体层所含杂质之平均浓度,系于31018cm-3 以上51022cm-3以下。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其特征系为: 上述半导体层之厚度系为1m以上。 9.如申请专利范围第1项半导体装置之制造方法,其 特征系为: 上述半导体层之厚度系为3m以上。 10.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其特征系为: 上述制程(a),系使用分子中含杂质之气体之杂质热 扩散制程; 上述半导体层,系设置于上述半导体基板之下部。 11.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其特征系为: 于上述制程(a),藉由杂质之离子植入形成上述半导 体层。 12.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其特征系为: 于上述制程(a),藉由化学气相沉积法(CVD)磊晶生长 含有杂质之上述半导体层。 13.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其特征系为: 于上述制程(a),进一步包含贴合由半导体制成之复 数个基板而形成上述半导体基板之制程; 上述复数个基板中至少一个基板具有上述半导体 层。 14.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其特征系为: 进一步包括上述制程(a)后,于上述半导体基板上形 成上述半导体元件之制程; 上述制程(b),系做为于上述半导体基板上形成上述 半导体元件之制程之一部分而执行。 15.一种半导体装置之制造方法,其特征系为: 包括: 于半导体基板中至少一部分形成含有杂质、且吸 收红外线之半导体层之制程(a); 藉由以红外线照射上述半导体基板,于所定之制程 温度下对上述半导体基板进行热处理之制程(b); 上述制程(b),系包含保持基板于上述制程温度之加 热处理前低于上述制程温度之低温,使基板温度稳 定化之制程。 16.一种半导体装置之制造方法,其特征系为: 包括: 于半导体基板中至少一部分形成含有杂质、且吸 收红外线之半导体层之制程(a); 藉由以红外线照射上述半导体基板,于所定之制程 温度下对上述半导体基板进行热处理之制程(b); 上述制程(b)进一步包括: 检测从上述半导体基板散发出之红外放射光之制 程(b1); 以上述红外放射光之强度测定上述半导体基板之 温度,从而控制上述红外线之输出之制程(b2); 于上述制程(b1),检测从上述基板背面散射出之红 外线放射光。 17.一种半导体装置之制造方法,其特征系为: 包括: 于半导体基板中至少一部分形成含有杂质、且吸 收红外线之半导体层之制程(a); 藉由以红外线照射上述半导体基板,于所定之制程 温度下对上述半导体基板进行热处理之制程(b); 上述制程(a),系使用分子中含杂质之气体之杂质热 扩散制程; 上述半导体层,系设置于上述半导体基板之下部。 18.一种半导体装置之制造方法,其特征系为: 包括: 于半导体基板中至少一部分形成含有杂质、且吸 收红外线之半导体层之制程(a); 藉由以红外线照射上述半导体基板,于所定之制程 温度下对上述半导体基板进行热处理之制程(b); 于上述制程(a),进一步包含贴合由半导体制成之复 数个基板而形成上述半导体基板之制程; 上述复数个基板中至少一个基板具有上述半导体 层。 19.一种半导体装置之制造方法,其特征系为: 包括: 于半导体基板中至少一部分形成含有杂质、且吸 收红外线之半导体层之制程(a); 藉由以红外线照射上述半导体基板,于所定之制程 温度下对上述半导体基板进行热处理之制程(b); 进一步包括上述制程(a)后,于上述半导体基板上形 成上述半导体元件之制程; 上述制程(b),系做为于上述半导体基板上形成上述 半导体元件之制程之一部分而执行。 图式简单说明: 图1(a)至图1(c),系显示本发明之第一实施形态之半 导体装置制造方法之一部分断面图。 图2(a)和图2(b),系显示使用于本发明之第一实施形 态中之半导体装置制造方法之半导体基板之断面 图及这个半导体装置之平面图。 图3,系显示本实施形态之快速热成法(RTP)制程中温 度曲线一例之图。 图4,系显示自由载流子吸收层之厚度和基板温度 偏差关系之图。 图5(a)和图5(b),系显示本发明之第二实施形态之半 导体装置制造方法之一部分断面图。 图6,系显示以前之快速热成法(RTP)装置之概要图。 图7,系显示用快速热成法(RTP)装置进行处理时以前 之温度曲线图之一个例子。 |
