| 主权项 |
1.一种蚀刻一介电结构的方法,至少包含: 提供一介电结构,其至少包含(a)未掺杂之氧化矽或 掺杂氟之氧化矽的一第一介电层;以及(b)掺杂碳氢 之氧化矽的一第二介电层,该第二介电层系设置于 该第一介电层上方;以及 进行一电浆蚀刻以蚀刻该介电结构,其中该电浆蚀 刻包括使用包含有氮原子与氟原子之一电浆源气 体,其中该第二介电层系相对于该第一介电层而选 择性地于该电浆蚀刻中被蚀刻,且其中该电浆蚀刻 系避免在该第一介电层及该第二介电层之间置入 一蚀刻终止层之需求。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之电 浆源气体包含一气体物种,该气体物种包含一或多 个氮原子与一或多个氟原子。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之气 体物种系为三氟化氮(NF3)。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之电 浆源气体包含(a)一包含一或多个氮原子之气体物 种;以及(b)一包含一或多个氟原子之气体物种。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之电 浆源气体包含一氮气(N2)与一碳氟化合物( Fluorocarbon)气体。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之碳 氟化合物气体系为四氟化碳(CF4)。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第 一介电层系为一未掺杂之二氧化矽(Silicon Dioxide) 层。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第 一介电层系为一氟化矽玻璃(Fluorinated Silica Glass) 层。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之电 浆蚀刻提供一第二介电层:第一介电层之选择比( selectivity)为2.5:1或更大。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 电浆蚀刻提供一第二介电层:第一介电层之选择比 为3:1或更大。 11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 电浆蚀刻系于一磁性辅助反应性离子蚀刻系统( Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching System)中实施。 12.一种在一双层镶崁(dual damascene)结构中蚀刻一沟 渠的方法,其中该方法至少包含: 提供一双层镶崁结构,该结构至少包含(a)一底层( Underlying Layer);(b)未掺杂之氧化矽或掺杂氟之氧化 矽的一介层孔介电层,系覆盖于该底层之上方;(c) 掺杂碳氢之氧化矽的一沟渠介电层,系覆盖于该介 层孔介电层之上方;以及(d)一图案化之光罩层,系 覆盖于该沟渠介电层之上方;以及 藉由电浆蚀刻而透过该图案化之光罩层上的复数 个开口而在该沟渠介电层中蚀刻一或多个沟渠,直 到该介层孔介电层之一上表面之一部分暴露出,其 中该电浆蚀刻包括利用一包含有氮原子与氟原子 之电浆源气体,且其中该沟渠介电层系相对于该介 层孔介电层而选择性地于该电浆蚀刻中被蚀刻。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 双层镶嵌结构包含一延伸介层孔,其延伸穿过该沟 渠介电层与该介层孔介电层。 14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 电浆源气体包含一气体物种,该气体物种包含至少 一氮原子与至少一氟原子。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之 气体物种系为三氟化氮(NF3)。 16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 电浆源气体包含(a)一包含一或多个氮原子之气体 物种;以及(b)一包含一或多个氟原子之气体物种。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 电浆源气体包含一氮气(N2)与一碳氟化合物( Fluorocarbon)气体。 18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 介层孔介电层系为一未掺杂之二氧化矽(Silicon Dioxide)层。 19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 介层孔介电层系为一氟化矽玻璃(Fluorinated Silica Glass)层。 20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 电浆蚀刻提供一沟渠介电层:介层孔介电层之选择 比为3:1或更大。 21.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 电浆蚀刻系于一磁性辅助反应性离子蚀刻系统( Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching System)中实施。 22.如申请专利范围第1项所述之方法,其中掺杂碳 氢之氧化矽的该第二介电层系利用一电浆辅助化 学气相沉积制程来形成。 23.如申请专利范围第12项所述之方法,其中掺杂碳 氢之氧化矽的该沟渠介电层系利用一电浆辅助化 学气相沉积制程来形成。 图式简单说明: 第1A-1F图系为习知的双层镶嵌制程之部分剖面示 意图; 第2A-2B图系为本发明之一实施例之蚀刻制程之之 部分剖面示意图;以及 第3A-3H图系为本发明之一实施例之双层镶嵌制程 之部分剖面示意图。 |
