| 主权项 |
1.一种互补金氧半导体之影像感测器之画素,包含: 一光电转换元件,其系连接至一第一节点与一接地 端子,俾能藉由使用入射光而产生一信号; 一电流源,其系连接至第一节点与一电源端子俾能 提供一暗电流; 一第一开关,其系连接至一第二节点、该电源端子 及该第一节点,并藉由使用累积于该第一节点之信 号电荷改变连接至第一节点之一节点之电位,俾能 改变该第二节点之偏压; 一第二开关,其系连接至该第一开关并接收一列选 择信号,俾能将由该光电转换元件产生之信号所产 生之一电位差输出至一行选择线;及 一第三开关,其系连接于该第一节点与该电源端子 之间,并接收一重置信号,俾能重置累积于该第一 节点之该些信号电荷。 2.如申请专利范围第1项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该光电转换元件系一光电二极 体,该光电二极体之阳极端子系连接至该接地端子 ,该光电二极体之阴极端子系连接至该第一节点。 3.如申请专利范围第1项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该电流源系为一暗电流,该暗 电流系为一暗二极体,其系由金属所覆盖俾能使光 不会透过其中,该暗二极体之阳极端子系连接至该 第一节点,该暗二极体之阴极系连接至该电源端子 。 4.如申请专利范围第1项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该第一开关系为一电晶体,该 电晶体之闸极系连接至该第一节点,该电晶体之汲 极系连接至该电源端子,该电晶体之源极系连接至 该第二节点。 5.如申请专利范围第1项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该第二开关系为一电晶体,该 电晶体之闸极接收一列选择信号,该电晶体之汲极 系连接至该第二节点,该电晶体之源极系连接至该 行选择线。 6.如申请专利范围第1项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该第三开关系为一电晶体,该 电晶体之间极接收一重置信号,该电晶体之汲极系 连接至该电源端子,该电晶体之源极系连接至该第 一节点。 7.一种互补金氧半导体之影像感测器之画素,包含: 一光电转换元件,其系连接至一第三节点与一接地 端子,俾能藉由使用入射光来产生一信号; 一电流源,其系连接至该第三节点与一电源端子, 俾能提供一暗电流; 一第一开关,其系连接至一第二节点、该电源端子 及一第一节点,并藉由使用累积于该第一节点之信 号电荷来改变连接至该第一节点之一节点之电位, 俾能改变该第二节点之偏压; 一第二开关,其系连接至该第一开关并接收一列选 择信号,俾能将由该光电转换元件产生之信号所产 生之一电位差输出至一行选择线; 一第三开关,其系连接于该第一节点与该电源端子 之间,并接收一重置信号,俾能重置累积于该第一 节点之该些信号电荷;及 一第四开关,其系连接至该第一节点与该第三节点 ,并接收一传输信号,俾能传送由该光电转换元件 所产生之该些信号电荷。 8.如申请专利范围第7项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该光电转换元件系为一光电二 极体,该光电二极体之阳极端子系连接至该接地端 子,该光电二极体之阴极端子系连接至该第三节点 。 9.如申请专利范围第7项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该电流源系为一暗二极体,其 系由金属所覆盖,俾能使光不会透过其中,该暗二 极体之阳极端子系连接至该第三节点,该暗二极体 之阴极系连接至该电源端子。 10.如申请专利范围第7项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该第一开关系为一电晶体,该 电晶体之闸极系连接至第一节点,该电晶体之汲极 系连接至该电源端子,该电晶体之源极系连接至该 第二节点。 11.如申请专利范围第7项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该第二开关系为一电晶体,该 电晶体之间极接收一列选择信号,该电晶体之汲极 系连接至该第二节点,该电晶体之源极系连接至该 行选择线。 12.如申请专利范围第7项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该第三开关系为一电晶体,该 电晶体之闸极接收一重置信号,该电晶体之汲极系 连接至该电源端子,该电晶体之源极系连接至该第 一节点。 13.如申请专利范围第7项之互补金氧半导体之影像 感测器之画素,其中该第四开关系为一电晶体,该 电晶体之闸极接收一传输信号,该电晶体之汲极系 连接至该第一节点,该电晶体之源极系连接至该第 三节点。 图式简单说明: 第1图(习知技艺)显示一种习知技术之互补金氧半 导体之影像感测器与其周边元件; 第2图(习知技艺)显示依据习知技术之三重电晶体 式画素之电路图; 第3图(习知技艺)显示依据习知技术之四重电晶体 式画素之电路图; 第4图(习知技艺)显示依据习知技术之用以补偿一 暗电流之影像感测器之构造图; 第5图显示依据本发明之第一实施例之互补金氧半 导体之影像感测器之画素之电路图;及 第6图显示依据本发明之第二实施例之互补金氧半 导体之影像感测器之画素之电路图。 |
