| 主权项 |
1.一种太阳能电池胞之制造方法,其系由CZ矽单结 晶晶圆形成太阳能电池胞之太阳能电池胞的制造 方法,其特征为: 作为前述CZ矽单结晶晶圆,使用初期格子间氧气浓 度在15ppma以下之CZ矽单结晶晶圆, 制造CZ矽单结晶晶圆中的BMD密度在5x108/cm3以下者 。 2.如申请专利范围第1项记载之太阳能电池胞之制 造方法,其中前述CZ矽单结晶晶圆系以Ga为掺杂剂 之p型矽单结晶晶圆。 3.如申请专利范围第2项记载之太阳能电池胞之制 造方法,其中前述Ga之浓度为3x1015~5x1017atoms/cm3。 4.一种太阳能电池胞,其特征为: 藉由如申请专利范围第1至第3项之其中1项记载之 制造方法而被制造。 5.一种太阳能电池胞,其系以CZ矽单结晶晶圆所制 作之太阳能电池胞,其特征为: CZ矽单结晶晶圆中的格子间氧气浓度在15ppma以下, CZ矽单结晶晶圆中的BMD密度在5x108/cm3以下。 6.如申请专利范围第5项记载之太阳能电池胞,其中 构成前述太阳能电池胞之CZ矽单结晶晶圆系以Ga为 掺杂剂之p型矽单结晶晶圆。 7.如申请专利范围第6项记载之太阳能电池胞,其中 前述Ga之浓度为3x1015~5x1017 atoms/cm3。 图式简单说明: 第1图系显示关于氧气浓度不同之3种的Ga掺杂矽单 结晶晶圆,电阻率与寿命之关系图。 第2图系显示矽单结晶晶圆之BMD密度与寿命之关系 图。 |
