发明名称 直流电压升/降压转换装置
摘要 一种直流电压升/降压转换装置,用以根据一输入电压产生一负载电压以驱动一负载,该装置具有一直流电压升压电路,用以对该输入电压升压以产生一大于该输入电压之输出电压,及一可低压差线性电压转换电路,其与该直流电压升压电路连接,用以对该输出电压进行电压转换,以产生该负载电压,并根据该负载之一回授讯号,回授控制该直流电压升压电路,使得该输出电压与该负载电压之间具有一最低压差,并使流经该负载之电流维持在一定值。
申请公布号 TWI295876 申请公布日期 2008.04.11
申请号 TW094116547 申请日期 2005.05.20
申请人 立錡科技股份有限公司 发明人 戴良彬;陈俊聪;叶清强;锺伯舜;朱冠任;白忠龙
分类号 H02M3/156(2006.01) 主分类号 H02M3/156(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种直流电压升/降压转换装置,用以根据一输入 电压产生一负载电压以驱动一负载,该装置包括: 一直流电压升压电路,用以对该输入电压升压,以 产生一大于该输入电压之输出电压;及 一可低压差线性电压转换电路,与该直流电压升压 电路连接,用以对该输出电压进行电压转换,以产 生该负载电压,并根据该负载之一回授讯号,控制 该直流电压升压电路,使得该输出电压与该负载电 压之间具有一最低压差,并使流经该负载之电流维 持在一定値。 2.依申请专利范围第1项所述直流电压升/降压转换 装置,其中该直流电压升压电路包括一升压模组及 一第一比较器,该升压模组接受该输入电压输入, 并受该第一比较器控制,以对该输入电压进行升压 动作,使得该输出电压稍大于该负载电压,并与该 负载电压之间具有该最低压差。 3.依申请专利范围第2项所述直流电压升/降压转换 装置,其中该可低压差线性电压转换电路包括一稳 压模组、一第二比较器及一电晶体,该稳压模组用 以对该输出电压进行降压及稳压以产生该负载电 压,该第二比较器根据该回授讯号控制该电晶体, 使控制该第一比较器驱使该升压模组升压,以适时 调整该输出电压之升压幅度。 4.依申请专利范围第3项所述直流电压升/降压转换 装置,其中该电晶体系一NMOS电晶体,该第二比较器 的正输入端连接一参考电压,其负输入端连接该回 授讯号,该第二比较器之输出端连接该NMOS电晶体 之闸极,该NMOS电晶体之汲极连接该第一比较器之 负输入端,而第一比较器之正输入端连接一参考电 压,其输出端连接该升压模组;当该稳压模组输出 之电压未达到该负载电压时,流经该负载之电流会 使该回授讯号小于该参考电压,使该第二比较器输 出呈高准位而触发该NMOS电晶体导通,使该第一比 较器输出呈高准位而控制该升压模组调高升压幅 度,直到该稳压模组输出之电压达到该负载电压时 ,流经该负载之电流会使该回授讯号大于该参考电 压,而使该第二比较器输出呈低准位,使该NMOS电晶 体不导通,使该第一比较器输出呈低准位而控制该 升压模组停止调高升压幅度。 5.依申请专利范围第3项所述直流电压升/降压转换 装置,其中该负载包括串联之一高功率发光二极体 及一电阻,该高功率发光二极体的P极与该稳压模 组之电压输出端连接,其N极与该电阻一端连接,而 该电阻之另一端接地,且该第二比较器之负输入端 与该高功率发光二极体和该电阻之接点连接,以取 得该回授讯号。 6.依申请专利范围第5项所述直流电压升/降压转换 装置,其中该稳压模组包括一PMOS电晶体及一连接 在该PMOS电晶体之闸、源极之间的电阻,且该发光 二极体之P极与该PMOS电晶体之汲极连接。 7.依申请专利范围第5项所述直流电压升/降压转换 装置,其中该负载电压系该高功率发光二极体之一 工作电压与该电阻之压降之和。 8.依申请专利范围第2项所述直流电压升/降压转换 装置,其中该升压模组包括一PWM(或PFM)控制器,且该 第一比较器之输出端与该PWM(或PFM)控制器连接,用 以控制该PWM(或PFM)控制器之输出讯号的工作周期 。 图式简单说明: 图1是习知一种高功率发光二极体驱动电路; 图2是图1之电路的转换效率数据图; 图3是习知另一种高功率发光二极体驱动电路; 图4是图3之电路的转换效率数据图; 图5是本发明直流电压升/降压转换装置的一较佳 实施例之电路方块图; 图6是本实施例之细部电路图; 图7是本实施例之升压模组的详细电路图; 图8是显示本实施例之直流电压升压电路及可低压 差线性电压转换电路的第二比较器及NMOS电晶体整 合在一积体电路(IC)晶片中;及 图9是本实施例之转换效率数据图。
地址 新竹县竹北市台元街20号5楼