发明名称 形成钝化层之方法
摘要 一种形成钝化层之方法。在此方法中,首先,提供具有相对之顶表面和底表面的基板,其中顶表面上系具有复数个导电焊垫。接着,形成第一钝化层于顶表面上。然后,进行第一曝光显影步骤,以在第一钝化层形成复数个第一开口,其中此些第一开口系露出导电焊垫。接着,形成第二钝化层于第一钝化层上。接着,进行第二曝光显影步骤,以在第二钝化层形成复数个第二开口,其中此些第二开口系露出导电焊垫。
申请公布号 TWI295822 申请公布日期 2008.04.11
申请号 TW095111057 申请日期 2006.03.29
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 苏政学;卢星甫;何聪杰;吴世英
分类号 H01L21/312(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/312(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种形成钝化层之方法,至少包含: 提供一基板,其中该基板具有一顶表面以及与该顶 表面对应之一底表面,该顶表面上具有复数个导电 焊垫; 形成一第一钝化层于该顶表面上; 进行一第一曝光显影步骤,以在该第一钝化层形成 复数个第一开口,其中该些第一开口系露出该些导 电焊垫; 形成一第二钝化层于该第一钝化层上;以及 进行一第二曝光显影步骤,以在该第二钝化层形成 复数个第二开口,其中该些第二开口系露出该些导 电焊垫。 2.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法, 更至少包含: 进行一烘烤步骤,用以硬化(curing)该第一钝化层与 该第二钝化层。 3.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法, 其中该第一钝化层系具有负型光阻之特性。 4.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法, 其中该第一钝化层系具有正型光阻之特性。 5.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法, 其中该第二钝化层系具有负型光阻之特性。 6.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法, 其中该第二钝化层系具有正型光阻之特性。 7.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法, 其中该第一钝化层之厚度系至少为该第二钝化层 之厚度的两倍以上。 8.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法, 其中该基板系为一晶圆。 9.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法, 其中该第一钝化层之材质系为聚亚醯胺(Polyimide) 。 10.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法 ,其中该第二钝化层之材质系为聚亚醯胺。 11.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法 ,其中该第一钝化层之厚度系8m。 12.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法 ,其中该第二钝化层之厚度系2m。 13.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法 ,其中该形成该第一钝化层的方法系为旋转涂布法 (Spin coating)。 14.如申请专利范围第1项所述之形成钝化层之方法 ,其中该形成该第二钝化层的方法系为旋转涂布法 。 15.如申请专利范围第2项所述之形成钝化层之方法 ,其中该第一钝化层之厚度系至少为该第二钝化层 之厚度的两倍以上。 图式简单说明: 第1图系绘示习知以薄膜电沉积制程制备锡铅凸块 的结构剖面图; 第2A图至第2D图系绘示第1图中之钝化层制作的流 程剖面示意图;以及 第3A图至第3F图系绘示根据本发明之一较佳实施例 之形成钝化层之方法的流程剖面示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号