| 主权项 |
1.一种形成氮化钛层的方法,包含: 在一基板上形成一氮化钛层;以及 实施一退火制程以移除该氮化钛层内之杂质并增 加该氮化钛层之表面积。 2.如申请专利范围第1项所述之形成氮化钛层的方 法,其中该氮化钛层是使用肆-二甲基胺基钛作为 前驱体,在约300℃至约400℃之温度下以及约0.2托至 约2托之压力下藉由有机金属化学气相沈积法沈积 。 3.如申请专利范围第1项所述之形成氮化钛层的方 法,其中该退火制程为在约600℃至约700℃之温度下 在氨气环境中实施约10秒至约60秒时间的快速热制 程。 4.如申请专利范围第1项所述之形成氮化钛层的方 法,其中该氮化钛层是藉由一有机金属化学气相沈 积法沈积且该退火制程为快速热制程。 5.如申请专利范围第4项所述之形成氮化钛层的方 法,其中该有机金属化学气相沈积法是使用肆-二 甲基胺基钛作为前驱体,在约300℃至约400℃之温度 以及约0.2托至约2托之压力下实施,且该快速热制 程是在约600℃至约700℃之温度下于氨气环境中实 施约10秒至约60秒时间。 6.如申请专利范围第1项所述之形成氮化钛层的方 法,进一步包含在实施该退火制程之后形成一介电 层以及一导电层。 7.如申请专利范围第6项所述之形成氮化钛层的方 法,其中该介电层是选自氧化铪层、氧化铝层、氧 化铪与氧化铝之双层、氧化锆层、铪-铝-氧合金 、镧-铝-氧化物合金或类似组合物以及其组合之 族群。 8.如申请专利范围第6项所述之形成氮化钛层的方 法,其中该导电层是藉由使用一有机金属化学气相 沈积法来重复该氮化钛层之沈制程以及一电浆退 火制程而形成。 9.如申请专利范围第8项所述之形成氮化钛层的方 法,其中该有机金属化学气相沈积法是藉由使用肆 -二甲基胺基钛作为前驱体,在约300℃至约400℃之 温度下以及约0.2托至约2托之压力下实施,且该电 浆退火制程是在氮氢电浆环境中实施。 10.如申请专利范围第6项所述之形成氮化钛层的方 法,其中该导电层是由物理气相沈积法形成。 11.一种形成金属-绝缘体-金属电容器的方法,包含: 在一基板上形成用于一下电极之一第一氮化钛层; 实施一快速热制程以移除用于该下电极之该氮化 钛层内的杂质并增加该第一氮化钛层的表面积; 形成一介电层;以及 形成用于一上电极之一第二氮化钛层。 12.如申请专利范围第11项所述之形成金属-绝缘体- 金属电容器的方法,其中用于该下电极之该第一氮 化钛层是使用肆-二甲基胺基钛作为前驱体,藉由 一有机金属化学气相沈积法形成,且该快速热制程 是在氨气环境中实施。 13.如申请专利范围第12项所述之形成金属-绝缘体- 金属电容器的方法,其中该有机金属化学气相沈积 法是在约300℃至约400℃之温度下以及约0.2托至约2 托之压力下实施,且该快速热制程是在约600℃至约 700℃之温度下在约20 sccm至约100 sccm浓度之氨气环 境中实施约10秒至约60秒时间。 14.如申请专利范围第11项所述之形成金属-绝缘体- 金属电容器的方法,其中用于该上电极之该第二氮 化钛层是藉由重复使用肆-二甲基胺基钛之该第一 氮化钛层之一有机金属化学气相沈积法以及一电 浆退火制程而形成。 15.如申请专利范围第14项所述之形成金属-绝缘体- 金属电容器的方法,其中该有机金属化学气相沈积 法是在约300℃至约400℃之温度范围下以及约0.2托 至约2托之压力范围下实施,且该电浆退火制程是 在氮氢电浆环境中实施。 图式简单说明: 图1为根据本发明之一实施例说明用于形成氮化钛 层之方法的流程图。 图2以及图3为根据本发明之一较佳实施例说明用 于形成氮化钛层之方法的剖视图。 图4至图7为根据本发明之较佳实施例说明用于形 成具有氮化钛层下电极之金属-绝缘体-金属(MIM)电 容器之方法的剖视图。 |
