| 发明名称 |
Single crystal gallium nitride substrate, method of growing the same and method of producing the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
HK1088715(A1) |
申请公布日期 |
2008.04.11 |
| 申请号 |
HK20060110728 |
申请日期 |
2006.09.26 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
发明人 |
KENSAKU MOTOKI;TAKUJI OKAHISA;SEIJI NAKAHATA;RYU HIROTA;KOJI UEMATSU |
| 分类号 |
C30B29/38;C30B25/02;C30B25/18;H01L21/20;H01L21/205;H01L33/32;H01S;H01S5/323 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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