Metallische Leitung in Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Bilden derselben

摘要

Eine metallische Leitung in einer Halbleitervorrichtung weist Folgendes auf: einen Isolationslayer mit darin eingeformten Gräben; einen über dem Isolationslayer und den Gräben gebildeten metallischen Barrierelayer; einen über dem metallischen Barrierelayer gebildeten metallischen Layer, wobei der metallische Layer die Gräben füllt; und einen Layer gegen galvanische Korrosion, welcher auf einer Trennfläche zwischen dem metallischen Layer und dem metallischen Barrierelayer gebildet ist.