| 发明名称 | 一种硫属相变存储器CRAM存储元 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硫属相变存储器CRAM存储元，其材料层从下到上依次为：下电极；第一相变层；加热层；第二相变层和上电极；加热层尺寸小于相变层，第一相变层、加热层、第二相变层形成“工”形结构。本发明相比目前的硫属相变存储器CRAM的结构，不同之处在于合理利用了GST相变材料的隔热功能，使用了第一GST相变层+加热层+第二相变层的“工”形结构，充分利用了加热层的两端同时加热的功能以及利用GST相变材料的自身加热隔热功能提高加热效率并简化制造工艺，不仅在理论上给出了其优良性能的说明，而且通过模拟计算热场分布给出了较好的证明。 | ||
| 申请公布号 | CN101159313A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710168408.X | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 王嘉赋;向宏酉;李娟 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人 | 潘杰 |
| 主权项 | 1.一种硫属相变存储器CRAM存储元、其材料层从下至上依次为：下电极、第一相变层、加热层、第二相变层和上电极。 | ||
| 地址 | 430070湖北省武汉市武昌珞狮路122号 | ||