连续热处理器布局

摘要

一种用于处理由半导体材料制成的晶片的连续热处理站布局，对晶片进行多个甲酸处理步骤。将晶片装载入处于大气压力下的初始站处的腔室中，并利用氮气吹洗该腔室；在第一个随后的站(1)和第二个随后的站(2)处，将甲酸蒸气和氮气引入，其中在环境大气压力下加热晶片；将晶片旋转至处于真空下的第三个随后的站(3)，在没有化学处理的情况下加热晶片；将晶片旋转至第四个随后的站(4)，将甲酸蒸气和氮气引入，在环境大气压力下加热晶片；将晶片旋转至第五个随后的站(5)，将氮气引入，并在环境大气压力下冷却晶片；以及将晶片旋转至第六个随后的站(6)以便将晶片从其腔室卸载。

主权项

1.一种用于在处理器中处理由半导体材料构成的晶片的连续热处理布局，包括以下步骤：将所述晶片装载入处于大气压力下的可旋转工作台上的、所述处理器的初始站处的腔室中，并利用氮气吹洗所述腔室；将所述晶片旋转至第一个随后的站，将甲酸蒸气和氮气引入，并在环境大气压力下加热所述晶片；将所述晶片旋转至第二个随后的站，将甲酸蒸气和氮气引入，并在环境大气压力下加热所述晶片；将所述晶片旋转至第三个随后的站，将真空引入到所述晶片上，并在没有化学处理的情况下加热所述晶片；将所述晶片旋转至第四个随后的站，将甲酸蒸气和氮气引入，并在环境大气压力下加热所述晶片；将所述晶片旋转至第五个随后的站，将氮气引入，并在环境大气压力下冷却所述晶片；以及将所述晶片旋转至最后一个或第六个随后的站，以便将所述晶片从所述腔室卸载。