| 发明名称 | 一次写入薄膜存储器 | ||
| 摘要 | 数据存储器件(8，210，310)包括一组存储器单元(12，110，312)。一次写入操作可通过损坏至少一些存储器单元(12，110，312)的薄膜隔离层(36)来执行。数据存储器件(8，210，310)可以是随机存取磁存储器(“MRAM”)器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100380527C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN01125424.6 | 申请日期 | 2001.08.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | F·A·佩尔纳;T·C·安东尼 |
| 分类号 | G11C17/00(2006.01) | 主分类号 | G11C17/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种数据存储器件(8，210，310)，包括：一组存储器单元(12，110，312)；和用于对至少一些存储器单元(12，110，312)施加写入电势的电路(18-24，218，320)；存储器单元(12，110，312)具有在施加写入电势时被损坏的薄膜隔离层(36)。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||