发光器件

摘要

一个目的是提高将TFT与有机发光元件组合构成的发光器件的可靠性。在与发光器件(1200)的结构元件相同的衬底(1203)上形成TFT(1201)和有机发光元件(1202)。在TFT(1201)的衬底(1203)侧上形成起阻挡层作用的第一绝缘薄膜(1205)，在相反的上层侧上形成作为保护薄膜的第二绝缘薄膜(1206)。此外，在有机发光元件(1202)的低层侧上形成起势垒层作用的第三绝缘薄膜(1207)。第三绝缘薄膜是由无机绝缘薄膜如氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氮化铝薄膜、氧化铝薄膜或者氮氧化铝薄膜形成的。用相似的无机绝缘薄膜在有机发光元件(1202)的上层侧上形成第四绝缘薄膜(1208)和隔离(1209)。

主权项

1.一种发光器件，该器件包括：第一绝缘薄膜，该薄膜包括氮化硅或氮氧化硅；半导体层，该层在第一绝缘薄膜之上；栅极绝缘薄膜，该薄膜在半导体层之上；栅极电极，该电极在栅极绝缘薄膜之上；第二绝缘薄膜，该薄膜在栅极电极之上，包括氮化硅或氮氧化硅；第三绝缘薄膜，该薄膜在第二绝缘薄膜之上，包括从包括氮化硅、氮氧化硅、氮氧化铝、氧化铝和氮化铝的组中选择的无机绝缘材料；在所述第三绝缘薄膜上包含有机树脂的层；隔离层，该层在所述包含有机树脂的层之上，包括从包括氮化硅、氮氧化硅、氮氧化铝、氧化铝和氮化铝的组中选择的无机绝缘材料；第四绝缘薄膜，该薄膜在第三绝缘薄膜和隔离层之上，包括从包括氮化硅、氮氧化硅、氮氧化铝、氧化铝和氮化铝的组中选择的无机绝缘材料；发光层，该层包括被第三绝缘薄膜、第四绝缘薄膜和隔离层包围的有机化合物；以及阴极，该阴极与发光层接触。