半导体装置的接触部分及其制造方法,包括接触部分的显示装置用薄膜晶体管阵列板及其制造方法

摘要

在衬底上形成包括栅极线、栅电极和栅极衬垫并沿横向延伸的栅极布线。随后形成栅极绝缘层，并在其上依次形成半导体层和欧姆接触层。沉积导电材料并对其构图以形成包括与栅极线相交的数据线、源电极、漏电极和数据衬垫的数据布线。在衬底上沉积由氮化硅制成的第一绝缘层，并在第一绝缘层上涂覆由感光有机绝缘材料制成的第二绝缘层。构图第二绝缘层以在其表面上形成凸凹图案和与漏电极相对的、暴露第一绝缘层的第一接触孔。随后，使用光致抗蚀剂图案通过光刻对第一绝缘层和栅极绝缘层一起构图，以形成分别暴露漏电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔。接着，沉积铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)并对其构图以形成分别连接到漏电极、栅极衬垫和数据衬垫的透光性电极、子栅极衬垫和子数据衬垫。最后，在透光性电极上沉积反射导电材料并构图以形成具有像素区域中相应孔的反射膜。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一布线；沉积覆盖所述第一布线的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；通过光刻对所述第二绝缘层构图以形成暴露与所述第一布线相对的所述第一绝缘层的第一接触孔；使用光致抗蚀剂图案通过光刻对所述第一绝缘层构图以形成暴露所述第一布线以及所述第一接触孔的第二接触孔；以及形成通过所述第一和第二接触孔与所述第一布线相连接的第二布线。