| 发明名称 |
REPLACEMENT GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH GERMANIUM OR SIGE CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME USING GAS-CLUSTER ION IRRADIATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1908095(A2) |
申请公布日期 |
2008.04.09 |
| 申请号 |
EP20060785224 |
申请日期 |
2006.06.22 |
| 申请人 |
EPION CORPORATION |
发明人 |
BORLAND, JOHN O.;SKINNER, WESLEY J. |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/203;H01L21/336;H01L21/70;H01L21/8234 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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