SnO<SUB>2</SUB>为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种SnO₂为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在SnO₂衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。本发明采用与制备微晶硅太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备微晶硅太阳电池制备同时，原位沉积具有高光透过、种子层和保护层功能的微晶硅太阳电池用透明导电薄膜，不需要更换沉积系统，工艺简单且有利于降低成本。

主权项

1.一种SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述微晶硅薄膜太阳电池包括SnO2衬底及依次沉积在SnO2衬底上的透明导电薄膜、P型微晶硅、I型本征微晶硅和N型非晶硅，其特征在于：所述在SnO2衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法和制备P型微晶硅、I型本征微晶硅、N型非晶硅的沉积方法相同，该沉积方法采用等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。