发明名称 | 具有高密度三维电阻器的互连结构及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供了互连即BEOL结构,包括至少一个薄膜电阻器,该薄膜电阻器与相邻的导电互连处于相同层中。本发明还提供了一种制造这种互连结构的方法,其使用与当前互连工艺相容的工艺步骤。此外,就更高的密度方面而言,本发明的创造性的方法提供了比现有技术方案更好的技术扩展性。 | ||
申请公布号 | CN101159257A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
申请号 | CN200710149955.3 | 申请日期 | 2007.10.08 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杨智超 |
分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 许向华;张波 |
主权项 | 1.一种互连结构,包括电介质材料,所述电介质材料包括处于所述电介质材料的互连区域内的导电互连和在所述电介质材料的电阻器区域内处于沿着光刻限定的特征的壁部分的电阻器,其中所述电阻器与所述导电互连处于相同的互连层。 | ||
地址 | 美国纽约阿芒克 |