| 发明名称 | 使用自对准双构图方法形成焊盘图形的方法、使用其所形成的焊盘图形布局、以及使用自对准双构图方法形成接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成图形的自对准构图方法，包括：在衬底上形成第一层；在第一层上形成多个第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形的顶表面和侧壁上形成牺牲层，由此在第一硬掩模图形的侧壁上形成牺牲层的各个面对部分之间的间隙；在该间隙中形成第二硬掩模图形；使用第二硬掩模图形作为掩模，蚀刻牺牲层，以露出第一硬掩模图形；使用所露出的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形，露出第一层；以及使用第一和第二硬掩模图形蚀刻露出的第一层。 | ||
| 申请公布号 | CN101159226A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710088603.1 | 申请日期 | 2007.03.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李芝英;张大铉 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/485(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种用于形成图形的自对准构图方法，包括：在衬底上形成第一层；在第一层上形成多个第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形的顶表面和侧壁上形成牺牲层，由此在第一硬掩模图形的侧壁上形成牺牲层的各个面对部分之间的间隙；在该间隙中形成第二硬掩模图形；使用第二硬掩模图形作为掩模，蚀刻牺牲层，以露出第一硬掩模图形；使用所露出的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形，露出第一层；以及使用第一和第二硬掩模图形蚀刻露出的第一层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||