| 发明名称 | 具有楔形电阻性尖端的半导体探针及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。 | ||
| 申请公布号 | CN101159171A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710092110.5 | 申请日期 | 2007.04.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴弘植;朴哲民 |
| 分类号 | G12B21/02(2006.01);G11B9/02(2006.01);G11B9/00(2006.01);B81B7/02(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 主分类号 | G12B21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种半导体探针，包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||