| 发明名称 | 磁阻效应元件、磁头和磁存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：交换耦合膜，具有面内取向，由强磁性膜和反强磁性膜交换耦合而构成；和用以将电流对上述交换耦合膜通电的电极；其中，上述反强磁性膜以一般式：R<SUB>X</SUB>Mn<SUB>100-X</SUB>表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者以一般式：(R<SUB>X’</SUB>Mn<SUB>1-X’</SUB>)<SUB>100-Y</SUB>Fe<SUB>Y</SUB>表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30。 | ||
| 申请公布号 | CN100380448C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200310122542.8 | 申请日期 | 1998.04.03 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福家广见;齐藤和浩;中村新一;岩崎仁志;佐桥政司 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01);G01R33/09(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：交换耦合膜，具有面内取向，由强磁性膜和反强磁性膜交换耦合而构成；和用以将电流对上述交换耦合膜通电的电极；其中，上述反强磁性膜以一般式：RXMn100-X表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者以一般式：(RX’Mn1-X’)100-YFeY表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||