发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
封装尺寸为接近芯片尺寸,除所谓应力缓冲层之外,能有效地吸收热应力的半导体装置。半导体装置(150)具有:有电极(158)的半导体芯片、设置于半导体芯片的上边用作应力缓冲层的树脂层(152)、从电极(158)直到树脂层(152)的上边所形成的布线(154)以及在树脂层(152)的上方在布线(154)上形成的焊料球(157),还形成树脂层(152)使得在表面上具有凹部(152a),并且经过凹部(152a)形成布线(154)。 |
申请公布号 |
CN100380612C |
申请公布日期 |
2008.04.09 |
申请号 |
CN97192033.8 |
申请日期 |
1997.12.04 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
桥元伸晃 |
分类号 |
H01L21/3205(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3205(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
姜郛厚;叶恺东 |
主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,其特征是,具有:准备已形成电极的圆片的工序;避开上述电极的至少一部分,在上述圆片上设置应力缓冲层的工序;在上述应力缓冲层的表面上、避开上述电极的上方的位置上,形成凹部的工序;从上述电极直到上述应力缓冲层的上边,形成导通部的工序;在上述应力缓冲层的上方,形成与上述导通部连接的外部电极的工序;以及将上述圆片切断成各个小片的工序,上述导通部通过上述凹部之上而形成。 |
地址 |
日本东京都 |