掩膜形成方法、掩膜形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法

摘要

本发明以提供可获得图形起伏小的掩膜形成方法为其目的，将磁性层(13)覆盖并形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层(14)，再将掩膜形成用功能层(14)覆盖形成掩膜形成用功能层(15)，然后，通过规定的处理在掩膜形成用功能层(15)上形成凹凸图形，从而在掩膜形成用功能层(14)上形成掩膜(M1)，通过使用掩膜(M1)对掩膜形成用功能层(14)进行干蚀刻、在掩膜形成用功能层(14)上形成凹凸图形(P3)，从而在磁性层(13)上形成掩膜(M2)。

主权项

1.一种掩膜形成方法，其特征在于，将蚀刻对象体覆盖、并使用将硅、碳、锗和硼中的至少1种添加到钽、镍、钛和铌中的一种的材料来形成具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再将该A掩膜形成用功能层覆盖并形成B掩膜形成用功能层，然后，通过规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻，在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述蚀刻对象体上形成A掩膜。