发明名称 半导体存储器件及其操作方法
摘要 公开了一种半导体器件,包括存储单元阵列和命令接口,所述命令接口被配置成从半导体存储器件的外部接收命令。命令接口还被配置成解释所接收的命令,并且确定所接收的命令是否是连续操作命令。命令接口输出与命令相对应的命令信号,以及至少一个标记信号,如果命令是连续操作命令,则所述标记信号表示连续操作时间段。控制单元被配置成接收从命令接口输出的命令信号和至少一个标记信号,并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号。电荷泵被配置成响应于泵控制信号,产生供存取存储单元阵列以读、写、和/或擦除数据之用的电压。
申请公布号 CN101159168A 申请公布日期 2008.04.09
申请号 CN200710004057.9 申请日期 2007.01.23
申请人 三星电子株式会社 发明人 郑龙泽;姜相喆
分类号 G11C16/30(2006.01);G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/30(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 戎志敏
主权项 1.一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列;命令接口,被配置成从半导体存储器件的外部接收命令,解释所接收的命令,以确定所接收的命令是否是连续操作命令,并输出与所述命令相对应的命令信号以及至少一个标记信号,如果所述命令是连续操作命令则所述标记信号表示连续操作时间段;控制单元,被配置成接收从命令接口输出的所述命令信号和所述至少一个标记信号,并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号;以及电荷泵,被配置成响应于泵控制信号,产生供存取存储单元阵列以读、写、和/或擦除数据之用的电压。
地址 韩国京畿道