在集成电路中含硅导体区域形成改良的金属硅化物部分的方法

摘要

于含硅导电区域上设有包含至少三种物质层(221，222和223)的层堆栈(220)，以于该含硅导电区域上和其中形成硅化物部分(208)，其中与硅毗邻的一层(221)提供用于硅化反应的金属原子，该中间层(222)藉于沉积期间供应含氮物所形成的金属氮化合物，而于形成该上层(223)时中断供应含氮物。此方法可以于原位置方法施行，而相较于一般现有工艺的利用至少两种沉积槽，本方法可明显地改善产能和沉积工具的性能。

主权项

1.一种于含硅导电区域中形成降低电阻区域的方法，该方法包含：提供一基板(201)，该基板上形成有该含硅导电区域；沉积一层堆栈(220)至该含硅导电区域上，该层堆栈包含第一金属层(221)、第二金属层(223)及位于该第一及第二金属层之间的金属氮化合物层(222)，其中沉积该层堆栈的所有层是于单一槽中的原位进行，且该第一金属层(221)及该第二金属层(223)分别包含耐火金属或其合金，其中沉积该层堆栈(220)包含：于等离子体环境中溅镀沉积该第一金属层(221)；供应含氮气体至该等离子体环境以沉积该金属氮化合物层(222)；以及中断该含氮气体的供应以沉积该第二金属层(223)；以及热处理该基板(201)，以于该含硅导电区域中形成金属硅化物部分(208)，其中该金属氮化合物层(222)及该金属硅化物部分(208)是从耐火金属或其合金所形成，其中热处理该基板包含于第一平均温度下进行第一退火工艺及在比该第一平均温度高的第二平均温度下进行第二退火工艺。