| 发明名称 | 具有改善热导率的难熔金属衬底 | ||
| 摘要 | 一种用于半导体和集成电路元件的衬底，包括：包含选自元素周期表VIB族金属和/或各向异性材料的核芯板，具有第一主表面和第二主表面以及多个开口，该开口至少部分地从该第一主表面延伸到该第二主表面；选自元素周期表IB族金属或其他高导热材料，填充由至少部分该开口包围的空间的至少一部分；以及可选地，包含元素周期表IB族金属或其他高导热材料的层，置于至少部分该第一主表面和至少部分该第二主表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN101160658A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200580045722.8 | 申请日期 | 2005.10.27 |
| 申请人 | H.C.施塔克公司 | 发明人 | H·F·布雷特;吴荣祯;P·库马 |
| 分类号 | H01L23/373(2006.01) | 主分类号 | H01L23/373(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰;魏军 |
| 主权项 | 1.一种用于电子封装元件和集成电路元件的衬底，包括：包含选自元素周期表VIB族金属和/或各向异性材料的核芯板，具有第一主表面和第二主表面以及多个开口，该开口至少部分地从所述第一主表面延伸到所述第二主表面；选自元素周期表IB族的金属或其他高导热材料，填充由至少部分所述开口包围的空间的至少一部分；以及可选地，包含元素周期表IB族金属或其他高导热材料的层，置于至少部分所述第一主表面和至少部分所述第二主表面上。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州 | ||