具有肖特基结电极的半导体装置

摘要

本发明提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的GaN系半导体装置。在具有与AlGaN电子供给层(14)接触的肖特基性栅电极(17)的半导体装置中，栅电极(17)为由Ni、Pt、Pd中任一种所形成的第一金属层(171)、由Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaN的任何一种所形成的第二金属层(172)、由Au、Cu、Al、Pt中任一种所形成的第三金属层的层叠结构。由于第二金属层的材料是高熔点的，其对第一金属层金属和第三金属层金属的相互扩散起阻挡层作用，并抑制因高温动作导致的栅极特性恶化。由于与AlGaN电子供给层(14)连接的第一金属层金属的功函数大，其肖特基势垒高，能够获得良好的肖特基接触。

主权项

1.一种半导体装置，包括由以GavAl1-v为III族元素主要成分和以N为V族元素主要成分的化合物半导体构成的半导体层和与该半导体层接触的肖特基结金属层，其中，0≤v≤1；所述肖特基结金属层由包含与所述半导体层接触的第一金属层、与该第一金属层接触的第二金属层以及与该第二金属层接触的第三金属层的层叠结构构成的，所述第二金属层由比所述第一金属层和所述第三金属层更高熔点的金属材料构成，所述第三金属层由比所述第一金属层和所述第二金属层更低电阻率的金属材料构成，所述第一金属层通过从由Ni、Pt、Pd、NizSi1-z、PtzSi1-z、PdzSi1-z、NizN1-z、PdzN1-z构成的组中所选择的任何一个金属材料构成，其中，0＜z＜1，所述第二金属层通过从由Mo、W、Ta、MoxSi1-x、PtxSi1-x、WxSi1-x、TixSi1-x、TaxSi1-x、MoxN1-x、WxN1-x、TixN1-x、TaxN1-x构成的组中所选择的任何一个金属材料构成，其中，0＜x＜1。