| 发明名称 | 干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，其于反应室内通入一氧气洁净工艺气体，由该氧气洁净气体形成一等离子，并维持该等离子一段时间，以去除沉积于反应室内壁上的高分子沉积物，以克服湿式洁净工艺需较长设备停工时间与湿式洁净工艺所使用的溶剂将对电极产生严重损伤的缺点，且本发明能够有效的提高反应室内的洁净度。 | ||
| 申请公布号 | CN101159235A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200610116928.1 | 申请日期 | 2006.10.08 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孙炳云;吕明政;卓震宇;光辉 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/00(2006.01);B08B7/00(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1.一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，用于去除位于一介电层开口蚀刻反应室壁上的高分子污染物，其特征在于包括有下列步骤：在该介电层开口蚀刻反应室内置入一晶片；在该介电层开口蚀刻反应室内通入一氧气洁净工艺气体；由该氧气洁净工艺气体形成一等离子；以及维持该等离子一段时间，使该高分子污染物移除。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||