发明名称 晶片压紧圈及制造方法
摘要 本发明公开了一种晶片压紧圈,其压块处遮檐宽为1.52mm,位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为1.88mm,压紧圈的内径在202.1mm至202.3mm之间。本发明还公开了制造上述内径为202.2mm的晶片压紧圈的制造方法,铣削掉压紧圈小压块之间的部分,使压紧圈的内径从200.7mm增加到202.2mm。本发明通过增加晶片压紧圈的内径,减小制程位置时晶片和晶片压紧圈之间刮擦的可能,防止发生晶片黏附。
申请公布号 CN101159245A 申请公布日期 2008.04.09
申请号 CN200610116895.0 申请日期 2006.10.08
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 桂鲲;吴秉寰;刘兆虎;杨小军
分类号 H01L21/687(2006.01) 主分类号 H01L21/687(2006.01)
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 刘昌荣
主权项 1.一种晶片压紧圈,其压块处遮檐宽为1.52mm,位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为1.88mm,其特征在于,压紧圈的内径在202.1mm至202.3mm之间。
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