| 发明名称 | 一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括衬底和位于衬底之上的电阻器，该电阻器由底电极、顶电极和二者之间的绝缘体构成，所述绝缘体为纯的或掺杂其它金属元素的二氧化铈氧化物薄膜。其制备方法是采用溶胶－凝胶旋涂法、化学气相淀积、溅射等各种薄膜制备方法结合退火工艺，首先在衬底上制备导电薄膜作为底电极，再在其上制备纯的或掺杂的二氧化铈氧化物薄膜，最后在氧化物薄膜上制作导电的顶电极，形成了一具有优异稳态电阻转变和记忆特性的电阻式随机存储器的存储单元。 | ||
| 申请公布号 | CN101159314A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710176547.7 | 申请日期 | 2007.10.30 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 康晋锋;孙啸;刘力锋;许诺;王漪;刘晓彦;韩汝琦;王阳元 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 1.一种电阻式随机存储器的存储单元，包括衬底和位于衬底之上电阻器，该电阻器由底电极、顶电极和二者之间的绝缘体构成，其特征在于：所述绝缘体为纯的或掺杂其它金属元素的二氧化铈氧化物薄膜。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||