| 发明名称 | 降低铝铜合金偏析物析出的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种降低铝铜合金偏析物析出的方法，其利用一退火工艺以使偏析于铝铜合金晶界上的θ相铝铜合金，克服位能能障，自晶界扩散进入铝基底内，而有效的降低后续对铝铜合金层进行图案导线工艺时，因θ相铝铜合金所造成的工艺成品率偏低。 | ||
| 申请公布号 | CN101159236A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200610116930.9 | 申请日期 | 2006.10.08 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杨织森 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/321(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1.一种降低铝铜合金偏析物析出的方法，其特征在于：该铝铜化合物系作为半导体组件的金属导线层，该方法系将已沉积铝铜化合物的一晶片置入一通有氮气或氦气的工艺工具内进行一退火处理，以使偏析于晶界上的θ相铝铜化合物再次扩散进入铝基底内。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||