| 发明名称 | 复位侧壁浮栅存储结构闪存 | ||
| 摘要 | 一种复位侧壁浮栅存储结构闪存，包括衬底、形成于衬底上的源/漏区以及隧道氧化层、形成于隧道氧化层上的栅极，所述的栅极由堆栈浮栅、堆栈绝缘层、控制栅自下而上一次淀积而成，栅极的侧面有侧壁浮栅，包括形成于堆栈浮栅侧面的侧壁绝缘层、形成于侧壁绝缘层外侧的浮栅、形成于浮栅外侧的浮栅绝缘层，以及侧壁浮栅外围的绝缘膜。该闪具有高密度、低成本以及有多种存储状态的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN101159291A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710170536.8 | 申请日期 | 2007.11.16 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张博;孔蔚然 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/14(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种复位侧壁浮栅存储结构闪存，包括衬底、形成于衬底上的源/漏区以及隧道氧化层、形成于隧道氧化层上的栅极，所述的栅极由堆栈浮栅、堆栈绝缘层、控制栅自下而上一次淀积而成，其特征在于，所述的栅极的侧面有侧壁浮栅，包括形成于堆栈浮栅侧面的侧壁绝缘层、形成于侧壁绝缘层外侧的浮栅、形成于浮栅外侧的浮栅绝缘层，以及侧壁浮栅外围的绝缘膜。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||