| 发明名称 | 向多晶氧化铝陶瓷中掺杂的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种向多晶氧化铝陶瓷中掺杂的方法，包括以下步骤：先将氧化铝产品成型后进行初烧，温度在900℃～1250℃，时间1～2个小时；然后将成型初烧过的氧化铝产品和待添加的杂质放在一起加热但不直接接触，加热温度800℃～1500℃，时间2～5个小时，使杂质受热变成蒸汽，均匀地布满在氧化铝产品上；最后将附有杂质的氧化铝产品进行第三次高烧，温度1700℃～2000℃，时间10～12个小时。本发明采用蒸汽掺杂的方法，可以使杂质的分布更加均匀，特别适用于掺加少量杂质。与以往的浆料混合掺杂方式相比，它还具有可以机械化生产，速度快、产量大等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101157545A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710046434.5 | 申请日期 | 2007.09.26 |
| 申请人 | 上海亚明灯泡厂有限公司 | 发明人 | 黄海杰 |
| 分类号 | C04B35/10(2006.01);C04B35/63(2006.01) | 主分类号 | C04B35/10(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1.一种向多晶氧化铝陶瓷中掺杂的方法，包括以下步骤：a)先将氧化铝产品成型后进行初烧，温度在900℃～1250℃，时间1～2个小时；b)然后将成型初烧过的氧化铝产品和待添加的杂质放在一起加热但不直接接触，加热温度800℃～1500℃，时间2～5个小时，使杂质受热变成蒸汽，均匀地布满在氧化铝产品上：c)最后将附有杂质的氧化铝产品进行第三次高烧，温度1700℃～2000℃，时间10～12个小时。 | ||
| 地址 | 201801上海市嘉定区嘉新公路1001号 | ||