| 发明名称 | 掺硼的金刚石半导体 | ||
| 摘要 | 第一和第二人造金刚石区域是掺硼的。第二人造金刚石区域比第一人造金刚石区域的掺有更多的硼，并且与第一人造金刚石区域物理接触。在另一示例性实施方案中，该第一和第二人造金刚石区域形成金刚石半导体，例如当连接到至少一个金属引线时的肖特基二极管。在其它实施方案中该金刚石是C<SUP>12</SUP>高增浓的金刚石，以增加该人造金刚石的导电性。在示例性实施方案中的制造工艺包括沿着氢注入层分离该多个金刚石层中的一层。 | ||
| 申请公布号 | CN101160642A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200680009050.X | 申请日期 | 2006.01.26 |
| 申请人 | 阿波罗钻石公司 | 发明人 | R·里纳雷斯 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01);H01L29/872(2006.01);H01L29/16(2006.01) | 主分类号 | H01L21/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨勇;郑建晖 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：掺硼的第一人造金刚石区域；掺硼的第二人造金刚石区域，该第二人造金刚石区域掺有比该第一人造金刚石区域更多的硼并且与该第一人造金刚石区域物理接触。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||