| 发明名称 | 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成的方法。该方法包括形成一N型双耗尽(NDD)层，并且将至少一个来自控制器电路的晶体管和一晶体管开关制造于单一芯片上。该控制器电路用于控制该晶体管开关。 | ||
| 申请公布号 | CN101159249A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710151547.1 | 申请日期 | 2007.09.26 |
| 申请人 | 美国凹凸微系有限公司 | 发明人 | 高荣正 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L29/78(2006.01);G02F1/133(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 谢静;杨勇 |
| 主权项 | 1.一种用于集成的方法，包括：形成一N型双耗尽(NDD)层；以及将至少一个来自控制器电路的晶体管和一晶体管开关制造于单一芯片上，其中所述控制器电路用于控制所述晶体管开关。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||