发明名称 |
一种自对准形成上电极的WO<SUB>x</SUB>电阻存储器及其制造方法 |
摘要 |
本发明属微电子技术领域,具体提供了一种以自对准形成上电极的WO<SUB>x</SUB>电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括:下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞,在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞,位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WO<SUB>x</SUB>存储介质,以自对准方式形成金属上电极于所述的WO<SUB>x</SUB>存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时,以自对准形成的金属上电极层,无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤,减少工艺复杂度,可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。 |
申请公布号 |
CN101159284A |
申请公布日期 |
2008.04.09 |
申请号 |
CN200710045938.5 |
申请日期 |
2007.09.13 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
林殷茵;吕杭炳;唐立;尹明;宋雅丽;陈邦明 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
1.一种与铝互连工艺集成的WOx电阻存储器,其特征在于包括下电极,为互连线层间钨栓塞;在所述钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞;位于所述孔洞底部的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质,1<x≤3,以及以自对准方式形成于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中的金属上电极。 |
地址 |
200433上海市邯郸路220号 |